[发明专利]一种用于减少功率消耗的电平偏移电路

权利要求书

1.一种用于减少功率消耗的电平偏移电路，其包含有：

一缓冲电路，包含有：

一第一晶体管，包含有一控制端，耦接于该电平偏移电路的输入端；

一第二晶体管，包含有一第一端，耦接于该第一晶体管的第一端；及

一缓冲开关，包含有：

一第一端，耦接于该第二晶体管的第一端；及

一第二端，耦接于该第二晶体管的控制端；及

一自举电路，包含有：

一二极管电路，包含有一第一端，耦接于位该准偏移电路的输入端；

一自举开关，包含有一第一端，耦接于该第二晶体管的控制端；及

一电容，耦接于该第二晶体管的第一端与该自举开关的第二端之间，以及该二极管电路的第二端。

2.如权利要求1所述的电平偏移电路，其中该二极管电路为一第三晶体管，该第三晶体管的控制端耦接于该第三晶体管的另一端。

3.如权利要求2所述的电平偏移电路，其中该自举开关为一第四晶体管，以及该缓冲开关为一第五晶体管。

4.如权利要求3所述的电平偏移电路，其中该第三、第四及第五晶体管均为金属氧化物半导体晶体管。

5.如权利要求4所述的电平偏移电路，其中该第四晶体管为一第一型的金属氧化物半导体晶体管，该第三及第五晶体管为一第二型的金属氧化物半导体晶体管。

6.如权利要求5所述的电平偏移电路，其中该第一及第二晶体管为该第二型的金属氧化物半导体晶体管。

7.如权利要求6所述的电平偏移电路，其中该第一型的金属氧化物半导体晶体管为N型金属氧化物半导体晶体管(NMOS)，以及该第二型的金属氧化物半导体晶体管为P型金属氧化物半导体晶体管(PMOS)。

8.如权利要求6所述的电平偏移电路，其中该第一型的金属氧化物半导体晶体管为P型金属氧化物半导体晶体管(PMOS)，以及该第二型的金属氧化物半导体晶体管为N型金属氧化物半导体晶体管(NMOS)。

9.如权利要求6所述的电平偏移电路，其中所有的晶体管皆为薄膜晶体管。

10.如权利要求1所述的电平偏移电路，其中该二极管电路为一二极管。

11.一种电子装置，包含有：

一移位寄存器；

如权利要求1所述的电平偏移电路；以及

一显示面板。

12.如权利要求11所述的电子装置，还包含有多个逻辑门。

13.如权利要求11所述的电子装置，还包含有一缓冲器。

14.如权利要求11所述的电子装置，其中该显示面板为一有机发光二极管面板。

15.如权利要求11所述的电子装置，其为一个人数字助理、笔记型计算机、轻薄型计算机、手机或屏幕显示器。