[发明专利]闪速存储器件

权利要求书

1.一种方法，包括：

在氧化物膜和半导体衬底上方形成浮置栅极多晶硅膜；

在第一蚀刻工艺中使用光刻胶图案作为第一掩模蚀刻浮置栅极多晶硅膜至预定深度，留下浮置栅极多晶硅膜的一部分未蚀刻；

在浮置栅极多晶硅膜上方在光刻胶图案的侧壁上形成间隙壁；

在第二蚀刻工艺中使用间隙壁作为第二掩模蚀刻浮置栅极多晶硅膜以暴露出氧化物膜；和

去除间隙壁和光刻胶图案以形成浮置栅极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，光刻胶图案形成于在浮置栅极多晶硅膜上方形成的底部抗反射涂层上方。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述形成间隙壁的步骤包括沉积并形成聚合物以覆盖光刻胶图案，和对聚合物进行回蚀刻工艺。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，回蚀刻工艺包括使用C₅F₈气体，CH₂F₂气体和Ar气体及O₂气体、同时保持大气压力为20～50mT来蚀刻聚合物。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，还包括在第二次蚀刻工艺之后使用灰化和剥离去除底部抗反射涂层、光刻胶图案和间隙壁。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，光刻胶图案包括用于KrF的光刻胶材料。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在第一次蚀刻工艺期间，蚀刻浮置栅极多晶硅膜至自浮置栅极多晶硅膜表面300至500的深度。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，使用CF₄、Ar和O₂、同时保持大气压力为50～80mT来进行第一蚀刻工艺。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，以反应离子蚀刻方法进行第二蚀刻工艺以形成浮置栅极多晶硅膜作为台阶覆盖图案。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，浮置栅极通过第一和第二次蚀刻工艺形成，以具有下部部分和上部部分，其中下部部分宽于上部部分。

11.一种器件，包括：

在半导体衬底上方的氧化物层；和

在氧化物层上方具有台阶覆盖图案的浮置栅极多晶硅图案。

12.根据权利要求11的器件，其特征在于，浮置栅极多晶硅图案包括两级台阶覆盖图案。

13.根据权利要求11所述的器件，其特征在于，浮置栅极多晶硅图案的上表面包括在上表面中的多个沟槽。

14.根据权利要求11所述的器件，其特征在于，在浮置栅极多晶硅图案中每一级台阶覆盖图案的高度接近300至500。

15.一种浮置栅极，包括：

形成于氧化物层上方的第一多晶硅层，其具有第一宽度；和

形成于第一多晶硅层上方的第二多晶硅层，其具有比第一宽度窄的第二宽度。

16.根据权利要求15所述的浮置栅极，其特征在于，还包括形成于第二多晶硅层上方的多个多晶硅层，该多个多晶硅层中的每一个都具有前一多晶硅层窄的宽度。

17.根据权利要求15所述的浮置栅极，其特征在于，每一层都由被蚀刻以形成层结构的单一多晶硅层形成。

18.根据权利要求17所述的器件，其特征在于，每一多晶硅层的高度都接近300-500。

19.根据权利要求17所述的浮置栅极，其特征在于，浮置栅极的第二多晶硅层的上表面包括在上表面中形成的多个沟槽。