[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，具备：

在支持衬底的主面上隔着绝缘膜形成的半导体膜内，具有隔着栅极绝缘膜形成的栅极电极膜、和形成为在栅极长度方向上夹持上述栅极电极膜的源区及漏区的绝缘栅场效应晶体管；

在贯通上述半导体膜和上述绝缘膜而达到上述支持衬底的第1开口部分，具有隔着硅氧化膜形成的多晶硅膜的支持衬底接触部分；

在上述半导体膜和上述支持衬底接触部分上形成的层间绝缘膜；

通过填充到贯通上述层间绝缘膜而达到上述支持衬底接触部分的第2开口部分内的导电材料连接到上述多晶硅膜的布线。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在上述多晶硅膜上，形成有自对准硅化物膜。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，上述源区及漏区的上表面，比上述支持衬底接触部分的上表面低，比上述硅氧化膜的上表面高。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，在上述第1开口部分的外周部，自对准硅化物膜被形成为与上述支持衬底接触部分间隔。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，上述硅氧化膜的厚度大于0小于等于2nm。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，上述硅氧化膜和上述栅极绝缘膜的膜厚相等。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，上述多晶硅膜和上述栅极电极膜的膜厚及电阻值相等。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，上述多晶硅膜与上述硅氧化膜接触的面积，比上述栅极电极膜与上述栅极绝缘膜接触的面积大。

9.一种半导体器件，具备：

被配置在支持衬底上的STI包围的第1区域，和被配置在上述STI的外侧的第2区域；

在上述第1区域，在支持衬底的主面上隔着绝缘膜形成的半导体膜内，具有隔着栅极绝缘膜形成的栅极电极膜、和形成为在栅极长度方向上夹持上述栅极电极膜的源区及漏区的绝缘栅场效应晶体管；

在上述第2区域，在贯通上述半导体膜和上述绝缘膜而达到上述支持衬底的第1开口部分内，具有隔着硅氧化膜形成的多晶硅膜的支持衬底接触部分；

在上述半导体膜和上述支持衬底接触部分上形成的STI；

通过填充到贯通上述层间绝缘膜而达到上述支持衬底接触部分的第2开口部分内的导电材料连接到上述多晶硅膜的布线。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，在上述绝缘膜的下方和上述支持衬底接触部分的下方，连续形成阱区。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，具备：

形成于上述多晶硅膜的侧壁的第1侧壁膜；和

形成于上述STI的上述多晶硅膜侧的侧壁的第2侧壁膜，

其中，上述第1侧壁膜与上述第2侧壁膜被一体化。

12.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，在上述多晶硅膜上，形成有自对准硅化物膜。

13.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，上述源区及漏区的上表面，比上述支持衬底接触部分的上表面低，比上述硅氧化膜的上表面高。

14.根据权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，在上述第1开口部分的外周部，自对准硅化物膜被形成为与上述支持衬底接触部分间隔。

15.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，上述硅氧化膜的厚度大于0小于等于2nm。

16.根据权利要求15所述的半导体器件，其特征在于，上述硅氧化膜和上述栅极绝缘膜的膜厚相等。

17.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，上述多晶硅膜和上述栅极电极膜的膜厚及电阻值相等。

18.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，上述多晶硅膜与上述硅氧化膜接触的面积，比上述栅极电极膜与上述栅极绝缘膜接触的面积大。