[发明专利]增加控制栅极与浮动栅极间重叠面积的存储装置及其制法

权利要求书

1.一种浮动栅极存储器装置，其包含：

衬底，包含掩埋扩散区域以及在该掩埋扩散区域中的浅凹陷；

第一介质层；

浮动栅极，其形成在所述第一介质层之上；

掩埋扩散氧化层，其形成在所述浅凹陷中，其中所述浮动栅极的顶部高于所述掩埋扩散氧化层的顶部；以及

第二介质层，其形成在所述浮动栅极与所述掩埋扩散氧化层之上。

2.如权利要求1所述的浮动栅极存储器装置，还包含形成在所述浮动栅极与第二介质层之上的控制栅极。

3.如权利要求2所述的浮动栅极存储器装置，其中所述浮动栅极与所述控制栅极由图案化的多晶硅层所形成。

4.如权利要求1所述的浮动栅极存储器装置，其中所述浮动栅极的厚度范围约为600埃至1400埃。

5.如权利要求1所述的浮动栅极存储器装置，还包含增加的阶梯高度，其位于所述浮动栅极上的所述第二介质层，与所述掩埋扩散氧化层上的所述第二介质层之间。

6.如权利要求5所述的浮动栅极存储器装置，其中所述浮动栅极上的所述第二介质层，与所述掩埋扩散区域上的所述第二介质层，两者之间的阶梯高度范围约为300埃至800埃。

7.如权利要求1所述的浮动栅极存储器装置，其中所述第二介质层为氧-氮-氧(ONO)介质层。

8.一种制造浮动栅极存储器装置的方法，包含：

在衬底上形成第一介质层；

在所述第一介质层上形成第一多晶硅层；

在所述第一多晶硅层上形成一层覆盖层；

对所述覆盖层、第一多晶硅层、第一介质层与衬底进行图案化与蚀刻，以形成浮动栅极，并在所述衬底上形成浅凹陷；

在所述衬底上的所述浅凹陷区域中形成掩埋扩散区域；以及

在所述掩埋扩散区域中形成掩埋扩散氧化物，使得所述掩埋扩散氧化物的顶部位于所述第一多晶硅层顶部之下。

9.如权利要求8所述的方法，其中形成所述掩埋扩散氧化层的步骤包含：

在所述覆盖层上形成掩埋扩散氧化层；

移除部分的所述掩埋扩散氧化层，以暴露部分的所述覆盖层与第一多晶硅层区域，以在所述覆盖层之上形成部分的所述掩埋扩散氧化层，同时与所述覆盖周边的所述掩埋扩散氧化层分隔；以及

移除所述覆盖层，在所述图案化覆盖层之上的所述掩埋扩散氧化层区域会随着所述覆盖层自动被移除。

10.如权利要求9所述的方法，其中移除部分的所述掩埋扩散氧化层以各向同性蚀刻去除部分的所述掩埋扩散氧化层。

11.如权利要求9所述的方法，其中利用热磷酸去除所述覆盖层。

12.如权利要求9所述的方法，还包含维持所述覆盖层与所述掩埋扩散氧化层之间的高蚀刻选择比率。

13.如权利要求8所述的方法，还包含在所述第一多晶硅层与所述掩埋扩散氧化层上形成第二介质层的步骤。

14.如权利要求13所述的方法，还包含在所述第二介质层上形成与蚀刻第二多晶硅层，从而限定所述浮动栅极存储器装置的控制栅极。

15.如权利要求8所述的方法，其中所述第一多晶硅层的厚度范围约为1000埃至2000埃。

16.如权利要求13所述的方法，其中在所述浮动栅极上的所述第二介质层顶部与所述掩埋扩散氧化层上的所述第二介质层之间，存在增加的阶梯高度。

17.如权利要求16所述的方法，其中所述增加的阶梯高度范围约为300埃至800埃。