[发明专利]真空加工设备无效
申请号: | 200710147292.1 | 申请日: | 2006-02-05 |
公开(公告)号: | CN101118846A | 公开(公告)日: | 2008-02-06 |
发明(设计)人: | 李荣钟;崔浚泳;孙亨圭;李祯彬;金敬勋;金炯寿;韩明宇 | 申请(专利权)人: | 爱德牌工程有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;B01J3/00;B01J3/03 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 蔡洪贵 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 真空 加工 设备 | ||
本申请是2006年2月5日提交的、名称为“真空加工设备”的200610003345.8号中国发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种真空加工设备,其可在其中建立真空环境之后对基板执行所需工艺。更具体而言,本发明涉及一种真空加工设备,其中真空室分为室体和上盖,使得上盖可容易地从室体打开以及关闭至室体。
背景技术
真空加工设备主要用在半导体制造设备和平板显示器(FPD)制造设备中。半导体或FPD制造设备设计成将基板馈送到设备中并利用等离子体等对基板执行所需工艺,如蚀刻工艺。在此,FPD的实例包括LCD、PDP、OLED等。参考图1,现有技术的真空加工设备通常包括三种真空室,即负载锁定室R、馈送室T和工艺室P。
负载锁定室R用来从外部台站接收将在设备中进行加工的基板以便于装载基板,或者用来排出在设备中经完全加工好的基板以便于卸载基板。馈送室T设置有用于在各个室之间馈送基板的机器人,使得其可把要加工的基板从负载锁定室传送到工艺室或者将经完全加工好的基板从工艺室传送到负载锁定室。工艺室P用来在真空环境下利用等离子体或热能对基板执行所需工艺,如膜喷镀工艺或蚀刻工艺。为此,工艺室P包含:支撑构件,用来支撑室中的基板;加工气体供给系统,用来将加工气体供应到其中;以及排气系统,用来排空该室并且在室中形成真空。
工艺室用来利用各种加工气体或等离子体来重复执行大量工艺,因此,工艺室内的设备易于受损或受到污染,从而需要定期更换或维修。参考图2,参考标号1所表示的现有技术的工艺室分为室体10和上盖20,使得上盖20可从室体10打开以便于对工艺室1内部进行维护和维修。在用来打开和关闭上盖20的常规解决方案中,已将升降设备安装到其中设置有工艺室1的无尘室的顶部,以便于利用该升降设备来提升上盖20并将其从室体10打开。在另一个常规打开/关闭解决方案中,工艺室可单独配备一个打开/关闭装置以打开和关闭上盖。
参考图3,其示出用于上盖20的常规打开/关闭装置的实例,参考标号50所表示的上盖打开/关闭装置设置于工艺室1的外表面以打开和关闭上盖20。打开/关闭装置50包括:竖直驱动单元,用来竖直提升上盖20;水平驱动单元,用来水平移动上盖20;以及旋转单元,用来旋转上盖20。另外,打开/关闭装置50设置有水平移动引导60,用来提供水平驱动单元的移动路径。
以下将说明由具有上述配置的打开/关闭装置50所实施的上盖20的打开/关闭过程。首先,利用包括在打开/关闭装置50中的竖直驱动单元将上盖20竖直提升预定高度。继而沿水平移动引导60水平移动经提升的上盖20。在完成这样的水平移动之后,利用旋转单元将上盖20旋转180°。这样,工艺室1的室体10和上盖20两者均被打开,从而可进行对设置于工艺室1中的相应设备的更换和维修。
最近,要通过FPD制造设备加工的基板的尺寸已经有所增加。更具体而言,包括在FPD制造设备中的真空室的尺寸正在迅速增加。例如,考虑目前可用的真空室,室的上盖具有3米乘4米的大尺寸以及3至4吨以上的大重量。因此,为了竖直提升真空室的大尺寸的重型上盖,有必要为竖直驱动单元提供具有极高容量的空气筒。因此,笨重的室的上盖在其被竖直提升时在稳定性上的不足增加,并因此对维护和维修真空室内部的方面有不利影响。
发明内容
因此,已经根据以上问题而作出本发明,并且本发明的一个目的是提供一种能够确保上盖的简单方便的打开和关闭操作的大型真空加工设备。
根据本发明的第一方面,以上和其它目的可通过提供一种真空加工设备来实现,该真空加工设备包括:室体,其具有闸式阀,用于使基板能够装载和卸载;以及上盖,其可分离地设置在室体上而在其之间具有一预定间隙,所述真空加工设备进一步包括:水平驱动装置,用来在面对闸式阀设置方向的方向上水平移动上盖;内壁结构,其插入到上盖的侧壁中并且适于竖直移动以便于关闭和打开室体和上盖之间的间隙;以及内壁结构提升装置,其设置在上盖上方并且适于竖直移动所述内壁结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造