[发明专利]高纯多晶硅的无损材料检测方法

权利要求书

1.用于无污染及无损伤检测定形多晶硅体的材料缺陷的方法，其中，将定形多晶硅体暴露于超声波中，超声波穿过定形多晶硅体后由超声波接收器记录下来，从而检测出定形多晶硅体内的缺陷。

2.如权利要求1所述的方法，其中，超声波是通过超声波发射器辐射到定形多晶硅体上的，穿过定形多晶硅体的超声波由超声波接收器转化为电子振动并且显示出来。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中，超声波是通过超声波检测头辐射到定形多晶硅体上的，经过完全或部分反射后由同一个超声波检测头记录，并转化为接收器脉冲。

4.如权利要求1、2或3所述的方法，其中，透过的和接收的超声波是通过电子进行记录和评估的，定形多晶硅体内材料缺陷的定位由超声波的各个飞行时间确定。

5.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，在将定形多晶硅体暴露于超声波中之前，将超声波检测头移向定形多晶硅体，并通过超声波耦合使超声波与定形多晶硅体结合。

6.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，反射超声波的信号评估是在计算设备中进行的，反射超声波间的时间差和/或信号强度与预设参数的比较是在计算设备中进行的。

7.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，超声波检测头移到距离定形多晶硅体5-200mm的范围之内，特别优选5-80mm的范围。

8.如权利要求1至7中任一项所述的方法，其中，超声波耦合是利用无气泡的水进行的。

9.如权利要求8所述的方法，其中，检测是通过浸入法或水喷射法进行的。

10.如权利要求7或8所述的方法，其中，水为完全去离子水(pH≤7.0；电阻≥0.5百万欧姆，尤其优选≥18百万欧姆，无悬浮物)。

11.如权利要求1至10中任一项所述的方法，其中，定形多晶硅体表面保持高的纯度(表面金属值：Fe≤15；Cr≤1；Ni≤0.5；Na≤25；Zn≤10；Cl≤30；Cu≤1；Mo≤1；Ti≤25；W≤1；K≤5；Co≤0.5；Mn≤0.5；Ca≤45；Mg≤11；V≤0.5；所有的量都为pptw)。

12.如权利要求1至11中任一项所述的方法，其中，定形多晶硅体不含投影面表面大于0.03mm²的缺陷。

13.不含投影面表面大于0.03mm²的缺陷的定形多晶硅体。