[发明专利]电子元件装置及其制造方法

权利要求书

1.一种电子元件装置，其特征在于包括：

一第一支架，包括一锡焊区、一打线区，及一第一隔离部；

一第二支架，包括一锡焊区、一打线区、一固晶区，及一第二隔离部；

一晶粒，载设于该第二支架的固晶区，并分别电性连结于该第一支架与该第二支架的打线区；以及

一封装体，用以包覆晶粒与上述打线区；

其中所述的第一隔离部与第二隔离部分别为一凹沟，且分别邻靠于该封装体一侧。

2.根据权利要求1所述的电子元件装置，其特征在于其中所述的第一隔离部以激光加工方式蚀刻部分的第一支架后而完成，第二隔离部以激光加工方式蚀刻部分的第二支架后而完成。

3.根据权利要求2所述的电子元件装置，其特征在于其中所述的第一支架更包括一第一抗氧化层、一可氧化层以及一第二抗氧化层，可氧化层组设于第一抗氧化层以及第二抗氧化层之间，其中所述的第一隔离部以激光加工方式蚀刻部分的第二抗氧化层，以暴露部分的可氧化层。

4.根据权利要求3所述的电子元件装置，其特征在于其中所述的第一抗氧化层为一镀金层，第二抗氧化层为一镀镍层，可氧化层为一镀铜层。

5.根据权利要求1所述的电子元件装置，其特征在于其中所述的第二支架更包括一第一抗氧化层、一可氧化层以及一第二抗氧化层，可氧化层组设于第一抗氧化层与第二抗氧化层之间，其中所述的第二隔离部以激光加工方式蚀刻部分的第二抗氧化层，以暴露部分的可氧化层。

6.根据权利要求5所述的电子元件装置，其特征在于其中所述的第一抗氧化层为一镀金层，第二抗氧化层为一镀镍层，可氧化层为一镀铜层。

7.一种电子元件装置的制造方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤A：准备一第一支架与一第二支架；

步骤B：将一晶粒植设于在该第二支架的一固晶区，将该晶粒分别电性连结于该第一支架与该第二支架的一打线区；

步骤C：利用模压成型方式，将一封装体包覆于该晶粒与上述打线区；以及

步骤D：在该第一支架与该第二支架的分别邻靠于该封装体一侧形成有一隔离部，其中所述第一支架与第二支架的隔离部分别为一凹沟。

8.根据权利要求7所述的电子元件装置的制造方法，其特征在于其中所述第一支架的隔离部是借由激光加工方式分别破坏第一支架的一第一抗氧化层与第二支架的一第二抗氧化层，使第一支架、第二支架的可氧化层显露于外部，上述可氧化层为一镀铜层。