[发明专利]电子元件装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种电子元件，特别是涉及一种焊锡不破坏晶粒主体的电子元件装置及其制造方法。

背景技术

参照图1，一种现有的发光二极管装置100，包括一第一支架110、一第二支架120、一晶粒130以及一封装体140。

该第一支架110，包括一锡焊区111与一打线区112。

该第二支架120，包括一锡焊区121、一打线区122与一固晶区123。

该晶粒130，载设于该第二支架120的固晶区123，并借打线(即两条导线150)方式分别连结于该第一支架110的打线区112与该第二支架120的打线区122。

该封装体140以模压成形方式，包覆该晶粒130以及第一支架110的打线区112与该第二支架120的打线区122于其中。

现有的发光二极管装置100利用高科技制造技术，虽可制造出一微小化的电子零件。但是，当此发光二极管装置100欲组装于一SMT(表面粘着技术)的电路基板(未图示)上时，融熔状态的焊锡170易渗入该封装体140与该等支架110、120之间结合的一细缝160中，导致晶粒或导线被焊锡破坏，造成电子元件毁损。

由此可见，现有的发光二极管装置及其制造方法在结构与使用上，显然仍存在不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种的电子元件装置及其制造方法，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。

有鉴于上述现有的发光二极管装置及其制造方法存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新的电子元件装置及其制造方法，能够改进一般现有的发光二极管装置及其制造方法，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经过反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。

发明内容

本发明的主要目的在于，克服现有的发光二极管装置及其制造方法存在的缺陷，而提供一种新的电子元件装置及其制造方法，所要解决的技术问题是使其防止电子元件损坏，从而更加适于实用。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种电子元件装置，其包括：一第一支架，包括一锡焊区、一打线区，及一第一隔离部；一第二支架，包括一锡焊区、一打线区、一固晶区，及一第二隔离部；以及一晶粒，载设于该第二支架的固晶区，并分别电性连结于该第一支架与该第二支架的打线区。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的电子元件装置，其中所述的第一隔离部以激光加工方式蚀刻第一支架的一可氧化区，第二隔离部以激光加工方式蚀刻第二支架的一可氧化区。

前述的电子元件装置，其中所述的第一隔离部与第二隔离部分别为一凹沟。

前述的电子元件装置，其更包括一封装体，用以包覆晶粒与上述打线区。

前述的电子元件装置，其中所述的第一支架更包括一第一抗氧化层以及一第二抗氧化层，可氧化层组设于第一抗氧化层以及第二抗氧化层之间。

前述的电子元件装置，其中所述的第一抗氧化层为一镀金层，第二抗氧化层为一镀镍层，可氧化层为一镀铜层。

前述的电子元件装置，其中所述的第二支架更包括一第一抗氧化层以及一第二抗氧化层，可氧化层组设于第一抗氧化层与第二抗氧化层之间。

前述的电子元件装置，其中所述的第一抗氧化层为一镀金层，第二抗氧化层为一镀镍层，可氧化层为一镀铜层。

本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种电子元件装置的制造方法，其包括以下步骤：

步骤A：准备一第一支架与一第二支架；

步骤B：将一晶粒植设于在该第二支架的一固晶区，将该晶粒分别电性连结于该第一支架与该第二支架的一打线区；

步骤C：利用模压成型方式，将一封装体包覆于该晶粒与上述打线区；以及

步骤D：在该第一支架与该第二支架的分别邻靠于该封装体一侧形成有一隔离部。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的电子元件装置的制造方法，其中所述隔离部是借由激光加工方 式分别破坏第一支架的一第一抗氧化层与第二支架的一第二抗氧化层，使第一支架、第二支架的可氧化层显露于外部，上述可氧化层为一镀铜层。