[发明专利]功率系统抑制方法及其装置和结构

权利要求书

1.一种高电压多输出电流装置，包括：

第一导电类型的衬底；

在衬底的第一部分上的第二导电类型的第一区域，第一区域具有 一形状和第一周边，其中第一周边的第一部分具有第一轮廓而第一周 边的第二部分具有第二轮廓，并且，第一区域为J-FET晶体管的漏极 和源极、第一MOS晶体管的漏极、以及第二MOS晶体管的漏极；

在衬底上的第二导电类型的第二掺杂区域，它具有第二周边，其 中第二周边的一部分与第一周边的第一部分并列，并具有与第一轮廓 相同形状的第三轮廓，其中第二掺杂区域为第一MOS晶体管的源极； 以及

在衬底上的第二导电类型的第三掺杂区域，它具有第三周边，其 中第三周边的一部分与第一周边的第二部分并列，并具有与第二轮廓 相同形状的第四轮廓，其中第三掺杂区域为第二MOS晶体管的源极。

2.根据权利要求1的高电压多输出电流装置，进一步包括第一 栅极结构，第一栅极结构覆盖在第一周边和第二周边的第一部分的一 部分上，还包括第二栅极结构，第二栅极结构覆盖在第一周边和第三 周边的第二部分的一部分上。

3.根据权利要求1的高电压多输出电流装置，进一步包括位于 第一区域内的第二导电类型的第四区域，第四区域具有比第一区域更 重的掺杂。

4.根据权利要求1的高电压多输出电流装置，其中第一区域的 形状为圆形、椭圆形、方形、矩形、五边形、或六边形中之一，并且 其中第一周边的第一部分距第一区域的形状的中心第一距离。

5.根据权利要求4的高电压多输出电流装置，其中第二区域的 周边的部分距第一区域的形状的中心第二距离，并且其中第三区域的 周边的部分距第一区域的形状的中心第三距离。