[发明专利]功率系统抑制方法及其装置和结构

说明书

本分案申请是基于申请号为200480028965.6，申请日为2004年9 月10日，发明名称为“功率系统抑制方法及其装置和结构”的中国专利 申请的分案申请。

技术领域

本发明一般地涉及电子学，更具体地，涉及形成半导体装置和结 构的方法。

背景技术

过去，电子工业利用各种方法和装置来控制高值或大输入电压以 提供受控输出电压和电流。1995年12月19日授予Tisinger等人的美 国专利号5477175公开了这种装置的一个例子，称作离线自举启动电 路，此处将其引入作为参考。自举启动电路接收大输入电压并产生输 出电流，对电容器充电并引起输出电压。然而许多应用需要一系列电 流，可以控制来对电容器充电并形成输出电压。然而，使用多个自举 启动电路增加了制作成本和所得半导体产品以及使用该产品的应用的 复杂性。

因此，需要有能够接收具有高电压值的输入电压并从该输入电压 产生一系列电流的启动电路。

附图说明

图1示意性示出根据本发明的高电压多输出电流装置的一个部分 的实施方案；

图2示出图1的根据本发明的高电压多输出电流装置的实施例的 一个部分的放大俯视图；

图3示出图2的根据本发明的高电压多输出电流装置的一个部分 的放大剖视图；

图4示意性示出利用图2的根据本发明的高电压多输出电流装置 的功率控制电路的一部分的实施方案；

图5图示出图4的根据本发明的功率控制电路的某些信号；以及

图6示意性示出利用图2的根据本发明的高电压多输出电流装置 的静电放电(ESD)保护电路的一部分的实施方案。

为了例示简单和清楚，图中的元件并不一定是成比例的，不同附 图中的类似参考号表示类似元件。另外，为了描述简单，省略了众所 周知的步骤的描述和细节。用于此处，载流电极指的是装置的承载通 过该装置的电流的元件，例如MOS晶体管的源极或漏极，或双极晶 体管的发射极和收集极，控制电极指的是装置的控制通过该装置的电 流的元件，例如MOS晶体管的栅极，或双极晶体管的基极。

具体实施方式

图1示例性示出高电压多输出电流装置12的一部分的实施方案， 它能够由单个高电压输入引起多个独立受控输出电流。装置12包括高 电压多输出元件11，优选地形成为包括JFET晶体管13、第一MOS 晶体管14，和第二MOS晶体管15。装置12还包括第一偏置电阻17 和第二偏置电阻18，用于分别向晶体管14和15的栅极提供偏置电流。 装置12接收高电压输入22处的高电压并分别响应施加到输入23和 24上的控制信号而分别在输出19和21处引起第一输出电流和第二输 出电流。

为了提供这一功能，晶体管13的漏极与输入22相连，源极与公 共节点16相连。晶体管14和15的漏极与晶体管13的源以及公共节 点16相连。晶体管14的栅极与输入23以及晶体管17的第一接线端 相连，源极与输出19相连。晶体管15具有与输入24以及晶体管18 的第一接线端相连的栅极以及与输出21相连的源极。晶体管17和18 的第二接线端与晶体管13的源极以及晶体管14和15的漏极相连。在 图3的描述中将更详细地解释晶体管13的栅极连接。在优选实施方案 中，晶体管14和15都是N沟道MOS晶体管，而晶体管13为N沟 道J-FET晶体管。在其它实施方案中，晶体管14和15可以是其它晶 体管结构，例如J-FET和双极晶体管。