[发明专利]近接式曝光方法及应用此方法的图案化电极层的制作方法

权利要求书

1.一种近接式曝光方法，其特征在于包括：

提供一基板，该基板上具有至少一液晶显示面板曝光区，且该基板上覆盖有一光刻胶层；

提供至少一光掩模，该光掩模的尺寸小于该液晶显示面板曝光区的尺寸；以及

使用该光掩模对该液晶显示面板曝光区的不同区域先后进行近接式曝光。

2.如权利要求1所述的近接式曝光方法，其特征在于，该基板上具有多个该液晶显示面板曝光区，且进行近接式曝光时，是在各该液晶显示面板曝光区同时使用至少一个该光掩模进行近接式曝光。

3.如权利要求1所述的近接式曝光方法，其特征在于，进行近接式曝光时，该光掩模与该光刻胶层之间的最小距离是1微米。

4.如权利要求1所述的近接式曝光方法，其特征在于，使用该光掩模进行近接式曝光时的分辨率为1微米。

5.一种图案化电极层的制作方法，其特征在于包括：

在一基板上形成一电极层，该基板上具有至少一液晶显示面板曝光区，该电极层位于该液晶显示面板曝光区；

在该基板上形成一光刻胶层，该光刻胶层覆盖该电极层；

使用一光掩模对该液晶显示面板曝光区的不同区域先后进行近接式曝光，其中该光掩模的尺寸小于该液晶显示面板曝光区的尺寸；

移除该光掩模；

对该光刻胶层进行显影而形成一图案化光刻胶层；以及

以该图案化光刻胶层为罩幕，蚀刻该电极层以形成该图案化电极层。

6.如权利要求5所述的图案化电极层的制作方法，其特征在于，该基板上具有多个该液晶显示面板曝光区，且进行近接式曝光时，是在各该液晶显示面板曝光区同时使用至少一个该光掩模进行近接式曝光。

7.如权利要求5所述的图案化电极层的制作方法，其特征在于，进行近接式曝光时，该光掩模与该光刻胶层之间的最小距离是1微米。

8.如权利要求5所述的图案化电极层的制作方法，其特征在于，该液晶显示面板曝光区内具有一黑矩阵区，且进行近接式曝光时，该光掩模的边缘是位于该黑矩阵区。

9.如权利要求5所述的图案化电极层的制作方法，其特征在于，进行近接式曝光时，是在该液晶显示面板曝光区同时使用多个该光掩模进行近接式曝光，该些光掩模的边缘对该液晶显示面板曝光区的部分区域重复曝光。

10.如权利要求5所述的图案化电极层的制作方法，其特征在于，使用该光掩模进行近接式曝光时的分辨率为1微米。