[发明专利]近接式曝光方法及应用此方法的图案化电极层的制作方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种曝光方法，且特别是有关于一种近接式的曝光方法以及应用此方法的图案化电极层的制作方法。

背景技术

使用光掩模进行图案转移的曝光方式大致上有投影式(projection)以及近接式(proximity)。图1为现有投影式曝光法的设备示意图。请参考图1，投影式曝光设备100依光路顺序共包括光源供应系统110、聚光系统120、光掩模130与投影系统140，而欲进行曝光的基板150则位于投影系统140下方。使用投影式曝光设备100进行投影式曝光时，所得到的转移图像的分辨率极佳，可达3.5微米左右，且光掩模130与基板150两者之间不会互相碰触而可避免磨损。然而，投影式曝光设备100中的投影系统140需由许多精密的光学组件所组成，不但构造精密、复杂且价钱昂贵。

另一种广为工业界所知的曝光法为近接式曝光法。图2为说明现有近接式曝光法的示意图。请参考图2，现有近接式曝光法是将光掩模220以固定构件S固定于基板240上方，并使光掩模220与基板240上的光刻胶层(未标示)间保持一间隙d。并且，配设光源供应系统210于光掩模220上方，而让光源供应系统210所提供的光线通过光掩模220后照射至基板240，以使光掩模220上的图案转移至基板240上的光刻胶层(图中未绘示)。近接式曝光法不需如投影式曝光法般使用昂贵的聚光系统与投影系统，因此成本可大幅降低。但是，以应用于液晶显示面板的制造为例，现有近接式曝光法所使用的光掩模220的面积与整块基板240相当。因此，当液晶显示面板不断朝大尺寸的趋势发展时，光掩模220的尺寸也随之增加，而导致购置光掩模220的成本大幅增加。此外，当光掩模220的尺寸越来越大时，光掩模220因受到重力作用而弯曲的程度也会加剧(如图2所示)。如此一来，若要维持光掩模220中央与基板240上的光刻胶层之间的距离d，则光掩模220两侧与基板240上的光刻胶层之间的距离必须加大，不仅会使转移图案的分辨率变差，还会因光掩模220中央及周围与基板240间的距离不同而造成曝光不均匀。

所以，为了在曝光制程中降低成本，提高转移图案的分辨率，又可应用在大尺寸基板上，现有的曝光方法实有改进的必要。

发明内容

本发明的目的是提供一种近接式曝光方法，以解决现有近接式曝光方法的分辨率不佳的问题。

本发明的另一目的是提供一种图案化电极层的制作方法，以解决图案化电极制作时无法兼顾低设备成本与高分辨率的问题。

为达上述目的，本发明提出一种近接式曝光方法，其步骤如下。首先，提供一基板，基板上具有至少一液晶显示面板曝光区，且基板上覆盖有一光刻胶层。接着，提供至少一光掩模，光掩模的尺寸小于液晶显示面板曝光区的尺寸。然后，使用光掩模对液晶显示面板曝光区的不同区域先后进行近接式曝光。

在本发明的近接式曝光方法中，上述基板上例如是具有多个液晶显示面板曝光区，且进行近接式曝光时，是在各个液晶显示面板曝光区同时使用至少一个光掩模进行近接式曝光。

在本发明的近接式曝光方法中，进行近接式曝光时，光掩模与光刻胶层之间的最小距离例如是1微米。

在本发明的近接式曝光方法中，液晶显示面板曝光区内例如具有一黑矩阵区，且进行近接式曝光时，光掩模的边缘例如是位于黑矩阵区。

在本发明的近接式曝光方法中，进行近接式曝光时，例如是在液晶显示面板曝光区同时使用多个光掩模进行近接式曝光，光掩模的边缘对液晶显示面板曝光区的部分区域重复曝光。此外，液晶显示面板曝光区内例如具有一黑矩阵区，且液晶显示面板曝光区被重复曝光的区域是位于黑矩阵区。

在本发明的近接式曝光方法中，上述基板包括主动组件阵列基板或彩色滤光基板。

在本发明的近接式曝光方法中，使用上述光掩模进行近接式曝光时的分辨率例如为1微米。

为达上述目的，本发明又提出一种图案化电极层的制作方法，其步骤叙述如下。首先，在一基板上形成一电极层，基板上具有至少一液晶显示面板曝光区，电极层位于液晶显示面板曝光区。接着，在基板上形成一光刻胶层，光刻胶层覆盖电极层。再来，使用一光掩模对液晶显示面板曝光区的不同区域先后进行近接式曝光，其中光掩模的尺寸小于液晶显示面板曝光区的尺寸。然后，移除光掩模。接着，对光刻胶层进行显影而形成一图案化光刻胶层。然后，以图案化光刻胶层为罩幕，蚀刻电极层以形成图案化电极层。