[发明专利]TEG图案及利用TEG图案的半导体器件的测试方法

权利要求书

1.一种测试元件组TEG图案，包括：

器件隔离层图案，其在相邻的有源区之间具有预定间隙；

位于所述器件隔离层图案中的有源区图案；以及

位于所述有源区图案中的接触件图案。

2.根据权利要求1所述的TEG图案，其中所述器件隔离层图案和所述接触件图案具有大于最小设计规则值的尺寸。

3.根据权利要求2所述的TEG图案，还包括：具有等于最小设计规则值的尺寸的第二器件隔离层图案和第二接触件图案。

4.根据权利要求2所述的TEG图案，其被配置为根据所述有源区图案和所述接触件图案的尺寸的差值监控漏电流。

5.根据权利要求4所述的TEG图案，其中所述有源区图案和所述接触件图案的尺寸差值为200nm或更小。

6.根据权利要求3所述的TEG图案，包括多个器件隔离层图案和多个接触件图案，其中所述有源区图案和所述接触件图案的尺寸差值在小于等于200nm的范围内改变。

7.根据权利要求1所述的TEG图案，其中所述接触件图案为所述有源区图案内的每一个有源区提供一个接触件。

8.一种测试元件组TEG图案，包括：

阱拾取区域，其包括多个岛型二极管TEG；

金属带区域，其电连接至所述多个岛型二极管TEG的接触件；

第一金属焊盘，其为所述金属带区域施加电势；以及

第二金属焊盘，其被配置为用于检测通过所述第一金属焊盘施加电势而导致的来自所述阱拾取区域的漏电流。

9.根据权利要求8所述的TEG图案，其中每个岛型二极管TEG包括：

器件隔离层图案，其在相邻的有源区之间具有预定间隙；

位于所述器件隔离层图案中的有源区图案；以及

位于所述有源区图案中的接触件图案。

10.根据权利要求9所述的TEG图案，还包括：具有大于最小设计规则值的尺寸的一个或多个第二器件隔离层图案和一个或多个第二接触件图案。

11.根据权利要求10所述的TEG图案，其中所述器件隔离层图案和所述接触件图案具有等于最小设计规则的数值的尺寸。

12.根据权利要求9所述的TEG图案，其被配置为根据所述有源区图案和所述接触件图案的尺寸差值监控漏电流。

13.根据权利要求12所述的TEG图案，其中所述有源区图案和所述接触件图案的尺寸差值为200nm或更小。

14.根据权利要求9所述的TEG图案，其中所述接触件图案为所述有源区图案内的每一个有源区提供一个接触件。

15.一种半导体器件的测试方法，包括以下步骤：

从第一金属焊盘处，对与多个岛型二极管测试元件组TEG电连接的金属带区域施加电势；以及

检测由所述第一金属焊盘施加电势而导致的从所述多个岛型二极管TEG的阱拾取区域到第二金属焊盘的漏电流。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述岛型二极管TEG包括：

器件隔离层图案，其在相邻的有源区之间具有预定间隙；

位于所述器件隔离层图案中的有源区图案；以及

位于所述有源区图案中的接触件图案。

17.根据权利要求15所述的方法，其中所述漏电流与所述有源区图案和所述接触件图案的尺寸差值相关。

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述岛型二极管TEG还包括：具有大于最小设计规则值的一个或多个尺寸的一个或多个第二器件隔离层图案和一个或多个第二接触件图案。

19.根据权利要求17所述的方法，其中所述器件隔离层图案和所述接触件图案具有等于最小设计规则值的一个或多个尺寸。

20.根据权利要求16所述的方法，其中所述接触件图案为所述有源区图案内的每一个有源区提供一个接触件。