[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200710148595.5 | 申请日： | 2007-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN101378043A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 汤宝云;孙伟豪 | 申请（专利权）人： | 瀚宇彩晶股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种电子构件，包含：
集成电路芯片；
接触焊盘形成在所述集成电路芯片上；
保护层部分重叠在所述接触焊盘上；
有机缓冲层形成在所述接触焊盘上，且所述有机缓冲层具有底切结构；
第一导电层形成在所述有机缓冲层上，并连接到所述接触焊盘；以及
第二导电层形成在所述第一导电层上。
2.根据权利要求1所述的电子构件，其中所述底切结构为环绕结构。
3.根据权利要求2所述的电子构件，其中，所述有机缓冲层的材料为聚酰亚胺。
4.根据权利要求1所述的电子构件，其中，所述第二导电层具有容室。
5.根据权利要求4所述的电子构件，其中，所述容室对应于所述第一导电层与所述接触焊盘的连接处。
6.根据权利要求4所述的电子构件，其中，所述容室的底部截面，大于所述容室的开口截面。
7.根据权利要求4所述的电子构件，其中，所述容室的深度大于所述第一导电层与所述第二导电层的厚度。
8.根据权利要求4所述的电子构件，其中，所述容室的深度小于所述第一导电层、所述第二导电层与所述有机缓冲层的厚度。
9.一种半导体装置，包含：
集成电路芯片；
接触焊盘形成在所述集成电路芯片上；
保护层部分重叠在所述接触焊盘上；
有机缓冲层形成在所述接触焊盘上，且所述有机缓冲层具有底切结构；
第一导电层形成在所述有机缓冲层上，并连接到所述接触焊盘；第二导电层形成在所述第一导电层上；以及
基板与黏着剂，所述基板设置在所述第二导电层上，且所述黏着剂配置在所述基板与所述集成电路芯片之间。
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述第二导电层具有容室，且所述黏着剂具有填充部分填充在所述容室内。
11.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述黏着剂的材料为各向异性导电胶或非导电胶。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瀚宇彩晶股份有限公司，未经瀚宇彩晶股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710148595.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种垃圾自动推出和收回装置
- 下一篇：集装箱锁件
