[发明专利]处理装置和处理方法

说明书

本申请主张2006年9月4日提交的日本申请特愿2006-239045号为优先权，本申请参照特愿2006-239045号的全部内容，并将其纳入本中请中。

背景技术

本发明涉及将被处理体从由盖塞住的收纳容器内取出并进行规定处理例如热处理的处理装置和处理方法，特别是关于将收纳容器相对隔壁的开口部进行按压保持的技术。

作为半导体制造装置的一种，存在有对大量半导体晶片(以下称为晶片)成批进行热处理的热处理装置。此热处理装置包括：搬入区域，由自动搬送机器人或操作员搬入作为收纳有多枚晶片的收纳容器的承载器(carrier)；和装载区，该装载区是将承载器内的晶片移载至作为保持器具的晶舟，并向热处理炉进行搬入搬出的移载区域。

在这样的热处理装置中，为了使装载区的气氛比搬入区域的纯净度更高并且防止晶片产生自然氧化膜等，优选用隔壁将大气一侧的搬入区域与装载区隔开，并在装载区内形成充满不活泼气体例如氮气(N₂)的不活泼气体气氛。此外，在这种情况下，为了抑制晶片的颗粒污染，更为优选应用以盖来密封承载器主体前面的晶片取出口的密闭型承载器(也称为FOUP：Front Opening Unified Pod(前开式统集盒))。

图7(a)表示使密闭型承载器与上述隔壁接触的状态。6是将搬入区域Sa和装载区Sb隔开的隔壁，13是在此隔壁6上形成的开口部，14是开关此开口部13的门。承载器3被载置于设置在搬入区域Sa的移载台(载置部)10之后，移载台10前进并且前面一侧的周缘部与开口部13的开口边缘部接触，之后，盖3b打开。在这种情况下，从能够抑制装载区Sb内的氧浓度上升的观点出发，更为优选：在门14关闭的状态下，通过盖开关机构打开盖3b，利用未图示的氮气置换单元将承载器3内由氮气置换之后，使门14和盖3b从开口部13退开，将承载器3内的晶片W搬入装载区Sb一侧。这种技术记载于专利文献1中。

此外，作为相关技术，在专利文献2中也有所记载。

[专利文献1]：日本专利特开平11-264267号公报

[专利文献2]：日本专利特开2004-6804号公报

但是，为了防止从外部向装载区Sb内吸入颗粒，并且抑制装载区Sb内的氧浓度上升，优选将装载区Sb内维持在充分高于大气压的压力下。但是，在上述热处理装置中，将承载器3固定于上述移载台10上的结构，只不过是通过具有呈倒L字状的卡合部40的固定机构来卡合承载器3的底部从而固定承载器3，因此，当打开隔壁6的门14时(即打开承载器3的盖3b时)，如图7(b)所示，由于受到装载区Sb一侧的压力，承载器3的上侧向搬入区域Sa一侧倾斜，由此氮气从装载区Sb内向搬入区域Sa一侧漏出，可考虑到会产生以下问题：导致装载区Sb内的氧浓度上升、为了抑制承载器3的倾斜必须对装载区Sb内的压力进行控制、导致TAT的恶化、导致相对于承载器的盖的开关错误和承载器内的晶片的图形布置错误(Mapping miss)。

此外，在使承载器与隔壁密接，打开盖体后用不活泼气体对承载器内进行置换的情况下，作为即使不活泼气体的供给流量大时也可以使承载器的姿态稳定，不破坏隔壁与承载器的气密状态的技术，也有如专利文献2所记载的：在隔壁的搬入区域一侧，在立起的姿态和以按压承载器的上表面的方式而倒下的姿态之间设置由水平轴的旋转而转动的按压部件，在将承载器载置于移载台并与隔壁密接之后，使按压部件转动以按压承载器的上表面，在此状态下打开承载器的盖体，从不活泼气体供给管向承载器内供给不活泼气体。但是在该技术的情况下，必须确保用于在移载台上的承载器的上方设置按压部件的足够空间，在不能确保此设置空间的情况下不能使用此技术。

发明内容

本发明考虑上述情况研究而成，目的在于提供一种处理装置和处理方法，能够防止隔壁的门开放时由于移载区域一侧的压力导致收纳容器的倾斜，以及能够防止由于收纳容器的倾斜而引起的各种问题。

为了达成上述目的，本发明的处理装置包括：

收纳多个被处理体且前面具有取出此被处理体的取出口和密闭此取出口的盖的收纳容器；

搬入此收纳容器的搬入区域；

维持在与此搬入区域不同的气氛下的移载区域；

将上述搬入区域和上述移载区域之间隔开，并且具有开口部的隔壁；

开关上述隔壁的开口部的门；和

将上述收纳容器载置于搬入区域的上述开口部附近的载置部，其中，

上述收纳容器的前面一侧的两侧设置有被按压部，