[发明专利]一种改进的CPL掩模及产生CPL掩模的方法和程序产品

权利要求书

1.一种用于形成掩模的方法，所述掩模用于印制包含多个特征的图案，所述方法包括步骤：

将具有预定透射百分比的透射材料层沉积到衬底上；

将不透明材料层沉积到所述透射材料上；

对所述衬底的一部分进行刻蚀，基于所述透射层和所述衬底的刻蚀选择性将所述衬底刻蚀至一定深度；

通过刻蚀所述不透明材料对所述透射层的一部分进行曝光；

刻蚀所述透射层的所述曝光部分从而暴露出所述衬底的上表面；

其中所述衬底的已曝光部分和所述衬底的所述已刻蚀部分相对于照射信号彼此呈现出预定的相移。

2.根据权利要求1所述的形成掩模的方法，其中所述衬底的所述刻蚀深度等于目标深度减去预定增量，所述预定增量与所述透射层厚度乘以所述透射层和所述衬底之间的刻蚀选择性相对应。

3.根据权利要求1所述的形成掩模的方法，其中所述不透明材料包括铬。

4.根据权利要求1所述的形成掩模的方法，其中所述透射层包括MoSiON。

5.根据权利要求1所述的形成掩模的方法，其中所述透射层具有5％到12％之间的透射百分比。

6.根据权利要求1所述的形成掩模的方法，其中所述不透明材料在刻蚀所述衬底期间操作作为硬掩模。

7.根据权利要求1所述的形成掩模的方法，其中所述衬底的所述已刻蚀部分形成所述掩模的背景部分，所述背景部分是亮区。

8.一种计算机可读介质，用于控制装置产生掩模，所述掩模用于对具有多个特征的目标图案成像，产生所述掩模的工艺包括步骤：

将具有预定透射百分比的透射材料层沉积到衬底上；

将不透明材料层沉积到所述透射材料上；

对所述衬底的一部分进行刻蚀，基于所述透射层和所述衬底的刻蚀选择性将所述衬底刻蚀至一定深度；

通过刻蚀所述不透明材料对所述透射层的一部分进行曝光；

刻蚀所述透射层的所述曝光部分从而暴露出所述衬底的上表面；

其中所述衬底的所述已曝光部分和所述衬底的所述已刻蚀部分相应于照射信号彼此呈现出预定的相移。

9.根据权利要求8所述的计算机可读介质，其中所述衬底的所述刻蚀深度等于目标深度减去预定增量，所述预定增量与所述透射层厚度乘以所述透射层和所述衬底之间的刻蚀选择性相对应。

10.根据权利要求8所述的计算机可读介质，其中所述不透明材料包括铬。

11.根据权利要求8所述的计算机可读介质，其中所述透射层包括MoSiON。

12.根据权利要求8所述的计算机可读介质，其中所述透射层具有5％到12％之间的透射百分比。

13.根据权利要求8所述的计算机可读介质，其中所述不透明材料在刻蚀所述衬底期间操作作为硬掩模使用。

14.根据权利要求8所述的计算机可读介质，其中所述衬底的所述已刻蚀部分形成所述掩模的背景部分，所述背景部分是亮区。

15.一种器件制造方法，包括以下步骤：

(a)提供至少部分由辐射敏感材料层覆盖的衬底；

(b)使用成像系统提供辐射投影束；

(c)产生掩模，用于向投影束的横截面赋予图案；

(d)将已构图的辐射束投影到辐射敏感材料层的目标部分上，

其中，在步骤(c)中，由包括以下步骤的方法形成所述掩模：

将具有预定透射百分比的透射材料层沉积到衬底上；

将不透明材料沉积层到所述透射材料上；

对所述衬底的一部分进行刻蚀，基于所述透射层和所述衬底的刻蚀选择性将所述衬底刻蚀至一定深度；

通过刻蚀所述不透明材料对所述透射层的一部分进行曝光；

刻蚀所述透射层的所述曝光部分从而暴露出所述衬底的上表面；

其中所述衬底的所述已曝光部分和所述衬底的已刻蚀部分相应于照射信号彼此呈现出预定的相移。