[发明专利]制造含有凹陷栅极的半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在具有场氧化物层的衬底上形成硬掩模图案；

利用所述硬掩模图案来蚀刻所述衬底以形成凹陷；

在所述凹陷和所述硬掩模图案上形成第一导电层；

平坦化所述第一导电层；和

在所述平坦化的第一导电层上形成第二导电层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述硬掩模图案包括基于氧化物的层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一和第二导电层包括多晶硅层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中平坦化所述第一导电层包括实施回蚀刻过程。

5.根据权利要求4所述的方法，其中实施所述回蚀刻过程直到暴露所述衬底。

6.根据权利要求4所述的方法，其中所述硬掩模图案包括基于氧化物的层并且所述第一导电层包括多晶硅层，以及其中实施所述回蚀刻过程包括利用在所述多晶硅层和所述基于氧化物的层之间的约1∶1的蚀刻选择性。

7.根据权利要求6所述的方法，其中实施回蚀刻过程包括使用含有三氟甲烷(CHF₃)和六氟化硫(SF₆)的气体。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述气体的流量为约10sccm～约100sccm，并且CHF₃与SF₆的流量之比为约9∶1。

9.根据权利要求8所述的方法，其中将流量为约1sccm～约10sccm的氧(O₂)加入所述气体。

10.根据权利要求7所述的方法，其中实施所述回蚀刻过程包括利用约3mtorr～约50mtorr的压力和约50W～约400W的功率。

11.根据权利要求4所述的方法，其中在高密度等离子体蚀刻设备中实施所述回蚀刻过程。

12.根据权利要求1所述的方法，还包括使用蚀刻气体执行干蚀刻过程。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述凹陷包括连接垂直颈部的圆形底部。

14.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一导电层的厚度为1000。

15.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在具有场氧化物层的衬底上形成硬掩模图案；

利用所述硬掩模图案蚀刻所述衬底以形成凹陷；

在所述凹陷和硬掩模图案上形成第一导电层；

通过平坦化所述第一导电层，去除由所述凹陷和所述场氧化物层的受损部分所产生的高度差效应；和

在所述平坦化的第一导电层上形成第二导电层。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述第一与第二导电层包括多晶硅层。

17.根据权利要求15所述的方法，其中平坦化所述第一导电层包括实施回蚀刻过程。

18.根据权利要求16所述的方法，其中所述第一导电层的厚度为1000。

19.根据权利要求17所述的方法，其中在高密度等离子体蚀刻设备中实施所述回蚀刻过程。

20.根据权利要求17所述的方法，其中所述硬掩模图案包括基于氧化物的层，并且所述第一导电层包含多晶硅层，以及其中实施所述回蚀刻过程包括利用在所述多晶硅层和所述基于氧化物的层之间的约1∶1的蚀刻选择性。