[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于：

具有形成于第一导电型的半导体层表面的栅极绝缘膜；

形成于所述栅极绝缘膜上的栅极电极；

形成于所述半导体层表面的第二导电型的源极层；

从所述栅极电极的漏极侧的端部分离且形成于所述半导体层表面的第二导电型的高浓度的漏极层；

在所述栅极电极和所述高浓度的漏极层之间的所述半导体层表面上，邻接于所述高浓度的漏极层的第一导电型的杂质层。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

具有第二导电型的低浓度的漏极层，所述第二导电型的低浓度的漏极层比所述高浓度的漏极层浓度低、并且扩散得更深，形成于从所述栅极电极的下侧到所述高浓度的漏极层之间的所述半导体层的表面。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：

具有和所述高浓度的漏极层及所述杂质层重叠、比所述高浓度的漏极层浓度低、并且扩散得更深的中浓度的漏极层。

4.如权利要求1至3任一项所述的半导体装置，其特征在于：

在所述半导体层上形成比所述栅极绝缘膜更厚的绝缘膜，所述栅极电极延展到所述厚绝缘膜的一部分上。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：

所述杂质层和所述厚绝缘膜的漏极侧的一端邻接。

6.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

在第一导电型的半导体层的表面上形成栅极绝缘膜的工序；

在所述栅极绝缘膜上形成栅极电极的工序；

在离开所述栅极电极的所述半导体层的表面上形成第二导电型的高浓度的漏极层的工序；

使第一导电型的杂质层与所述高浓度的漏极层邻接、且在所述半导体层的表面上形成的工序。

7.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

具有形成低浓度的漏极层的工序，所述漏极层比所述高浓度的漏极层浓度低、并且扩散得更深，形成于从所述栅极电极的下侧到所述高浓度的漏极层之间的所述半导体层的表面。

8.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

具有以下工序，即在和所述高浓度的漏极层及所述杂质层重叠的区域形成邻接于所述低浓度的漏极层、比所述高浓度的漏极层深、且低浓度的中浓度的漏极层的工序。

9.如权利要求7或8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：

在所述低浓度的漏极层上形成比所述栅极绝缘膜厚的绝缘膜的工序，

形成所述杂质层的工序为，以所述杂质层与所述厚绝缘膜的漏极侧的一端邻接的方式进行。