[发明专利]电子器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造电子器件的方法，包括：

在支撑衬底上形成第一互连层；

去除所述支撑衬底；以及

在所述去除所述支撑衬底之后，在所述第一互连层上的初始配备了所述支撑衬底的表面上形成第二互连层；

其中所述第二互连层的所述形成步骤包括在所述第一互连层中形成第一导电插塞。

2.根据权利要求1的方法，还包括：

在所述去除所述支撑衬底之前，将电子元件安装在所述第一互连层上。

3.根据权利要求2的方法，还包括：

在所述安装电子元件与所述去除所述支撑衬底的步骤之间，在所述第一互连层上形成封装树脂，以便覆盖所述电子元件。

4.根据权利要求1的方法，

其中为了形成所述第二互连层，所述形成第二互连层包括采用热分解温度比用于形成所述第一互连层的、在所述形成第一互连层中采用的树脂的热分解温度更低的树脂。

5.根据权利要求1的方法，

其中所述形成第二互连层的步骤包括形成位于所述第二互连层中的第二导电插塞；以及

所述形成第一导电插塞的步骤以及所述形成第二导电插塞的步骤同时进行，以便形成一体的导电插塞。

6.根据权利要求1的方法，

其中所述形成第二互连层的步骤包括形成位于所述第二互连层中的互连；以及

所述形成第一导电插塞的步骤和所述形成互连的步骤同时进行，以便形成一体的导电材料。

7.根据权利要求1的方法，

其中所述支撑衬底为硅衬底。

8.一种电子器件，包括：

第一互连层；

第二互连层，其配备在所述第一互连层上并具有外部电极端子；以及

第一导电插塞，其配备在所述第一互连层中，并且暴露在所述第二互连层侧上的所述第一互连层的表面上；

其中形成所述第一互连层的树脂的热分解温度高于形成所述第二互连层的树脂；以及

所述第二互连层侧上的所述第一导电插塞的端面的面积大于相对端面的面积。

9.根据权利要求8的电子器件，还包括：

安装在与所述第二互连层相对的所述第一互连层的表面上的电子元件。

10.根据权利要求9的电子器件，

其中所述电子元件为IC芯片和无源元件中的一个。

11.根据权利要求9的电子器件，还包括：

封装树脂，其配备在所述第一互连层上，以便于覆盖所述电子元件的侧面。

12.根据权利要求8的电子器件，还包括：

第二互连，其配备在所述第二互连层中，并与所述第一导电插塞相连。

13.根据权利要求12的电子器件，还包括：

第二导电插塞，其配备在所述第二互连层中，并与所述第二互连相连。

14.根据权利要求13的电子器件，

其中在所述第一互连层侧上的所述第二导电插塞的端面的面积小于相对端面的面积。

15.根据权利要求8的电子器件，还包括：

第二导电插塞，其配备在所述第二互连层中，并与所述第一导电插塞相连。

16.根据权利要求15的电子器件，

其中所述第一互连层侧上的所述第二导电插塞的端面的面积小于相对端面的面积；以及

彼此接触的所述第一导电插塞的端面和所述第二导电插塞的端面的面积相同。

17.根据权利要求12的电子器件，还包括：

第二粘接金属层，其共同地覆盖所述第一导电插塞以及所述第二互连。

18.根据权利要求17的电子器件，还包括：

第一互连，其配备在所述第一互连层中，并与所述第一导电插塞相连；以及

第一粘接金属层，其配备在与所述第一导电插塞接触的所述第一互连的表面上。

19.根据权利要求18的电子器件，

其中所述第二粘接金属层的整体与形成所述第一互连层的所述树脂以及所述第一粘接金属层的其中之一接触。