[发明专利]电子器件及其制造方法无效
申请号: | 200710149971.2 | 申请日: | 2007-10-08 |
公开(公告)号: | CN101159239A | 公开(公告)日: | 2008-04-09 |
发明(设计)人: | 栗田洋一郎;副岛康志;川野连也 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/768;H01L23/498;H01L23/538;H05K3/46;H05K1/02 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 关兆辉;陆锦华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子器件 及其 制造 方法 | ||
本申请基于日本专利申请No.2006-271164,其内容通过参考被并入本文。
技术领域
本发明涉及一种电子器件,以及制造该电子器件的方法。
背景技术
迄今为止已经开发出的制造电子器件的方法包括,例如,JP-A-2003-309215中披露的方法。根据其中披露的制造方法,多个互连层顺序地堆叠在支撑衬底上,从而形成多层互连结构,并接着去除该支撑衬底。在通过去除该支撑衬底而暴露出来的多层互连结构的一个表面上形成焊球,以便于起到外部电极端子的作用。在该多层互连结构的另一表面倒装安装电子元件。因此能够得到包括多层互连结构的电子器件,其中该多层互连结构上安装有电子元件。
除了JP-A-2003-309215以外,与本发明相关的现有技术还包括JP-A-S57-7147,JP-A-H09-321408,JP-A-H1 1-126978,以及JP-A-2001-53413。
本发明者已经意识到如下问题。在上面的电子器件中,为了在互连层与电子元件之间实现精细的连接,在构成该多层互连结构的互连层中,采用适于微处理的树脂必须被用于电子元件侧上的互连层。另一方面,对于焊球侧上的互连层,通常不需要采用适于微处理的树脂。因此,从电子器件的制造成本角度来看,期望采用相对便宜的树脂来用于焊球侧上的互连层。
但是,根据JP-A-2003-309215中披露的制造方法,如已经描述的,在支撑衬底上顺序地形成多个互连层,用于形成多层互连结构。这就意味着,在电子元件侧上的互连层之前形成焊球侧的互连层。因此,比用于电子元件侧上的互连层热分解温度更低的树脂不能被用于焊球侧上的互连层。这一限制对于选择要被用于焊球侧上的互连层的树脂来说施加了限制,从而妨碍了降低该电子器件的制造成本。
发明内容
在根据本发明的一个方面中,提供了一种制造电子器件的方法,包括:在支撑衬底上形成第一互连层;去除该支撑衬底;以及在去除该支撑衬底之后,在第一互连层的表面上形成第二互连层,而在该第一互连层上初始地配备了支撑衬底;其中形成该第二互连层的步骤包括在第一互连层中形成第一导电插塞。
根据这样安排的制造方法,在支撑衬底上形成第一互连层,其中将要在该第一互连层上安装电子元件,并且接着在形成该第二互连层之前去除该支撑衬底。这种结构消除了如下限制:无法采用比形成第一互连层更低热分解温度的树脂来形成第二互连层。因此,该方法允许采用适于微处理的树脂来用于第一互连层,同时采用相对较便宜的树脂用于第二互连层。
在根据本发明的第二个方面中,提供了一种电子器件,包括:第一互连层;第二互连层,其配备在该第一互连层上并具有外部电极端子;以及第一导电插塞,其配备在该第一互连层上并且暴露在该第二互连层一侧的第一互连层的表面上;其中形成该第一互连层的树脂的热分解温度高于形成该第二互连层的树脂的热分解温度;以及该第二互连层一侧上的第一导电插塞的端面的面积大于与相对端面的面积。
这样构建的电子器件允许采用比形成第一互连层具有更低热分解温度的树脂来形成第二互连层。因此,可以采用相对便宜的树脂用于该第二互连层,同时采用适于微处理的树脂用于该第一互连层。
这样,本发明提供了一种器件以及制造该电子器件的方法,其中该器件能够在互连层与电子元件之间形成精确连接,尽管成本很低。
附图说明
本发明的上述和其他目标,优点和特征将会通过下面参照附图对某些优选实施例的说明而变得更加清晰,其中:
图1为根据本发明第一实施例的电子器件的剖面图;
图2为用于说明第一互连层与第二互连层之间分界面周围结构的剖面图;
图3A-3E为顺序地显示根据第一实施例的电子器件的制造方法的剖面图;
图4A和4B为顺序地显示根据第一实施例的电子器件的制造方法的剖面图;
图5A和5B为顺序地显示根据第一实施例的电子器件的制造方法的剖面图;
图6A和6B为顺序地显示根据第一实施例的电子器件的制造方法的剖面图;
图7A和7B为顺序地显示根据第一实施例的电子器件的制造方法的剖面图;
图8为根据本发明第二实施例的电子器件的剖面图;
图9A和9B为顺序地显示根据第二实施例的电子器件的制造方法的剖面图;
图10A和10B为顺序地显示根据第二实施例的电子器件的制造方法的剖面图;
图11A和11C为顺序地显示根据第二实施例的电子器件的制造方法的剖面图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造