[发明专利]Ba1－xMgLiGaMxFBr1－ySy∶Rez,Ag0.1光存储发光材料及其制备方法

权利要求书

1.一种Ba_1-xMgLiGaM_xFBr_1-yS_y:Re_z，Ag_0.1光存储发光材料，其特征在于所说的原料选用纯度为分析纯，包括BaCO₃，MgCO₃，LiCO₃，Ga₂O₃，AgNO₃，NH₄F，NH₄Br，硫粉，稀土离子Re的来源，是由其氧化物，卤化物，硝酸盐或硫酸盐其中之一所提供的；所掺入四价金属离子M的来源，是由其氧化物，卤化物或碳酸盐其中之一所提供的，溶剂为水或乙醇，表面包覆材料为甲基丙烯酸甲脂；其化学表达式为：

Ba_1-xMgLiGaM_xFBr_1-yS_y:Re_z，Ag_0.1

其中，M为Si，Ge，Pb，Ti中的一种元素；

Re为稀土离子：La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb或Lu中的一种；

x，y，z的取值范围为：0.0001＜x≤0.7，0.0001＜y≤0.7；0.0001＜z≤1。

2.按照权利要求1所述的Ba_1-xMgLiGaM_xFBr_1-yS_y:Re_z，Ag_0.1光存储发光材料，其特征在于所说的

0.001＜x≤0.2，0.0001＜y≤0.2，0.0001＜z≤0.2。

3.按照权利要求1或2所述的Ba_1-xMgLiGaM_xFBr_1-yS_y:Re_z，Ag_0.1光存储发光材料，其特征在于所说的光存储材料的化学表达式为：

Ba_0.9MgLiGaSi_0.1FBr_0.9S_0.1:Eu_0.08，Ag_0.1。

4.按照权利要求1或2Ba_1-xMgLiGaM_xFBr_1-yS_y:Re_z，Ag_0.1光存储发光材料，其特征在于所说的光存储材料的化学表达式为：

Ba_0.7MgLiGaTi_0.3FBr_0.6S_0.4:Dy_0.06，Ag_0.1。

5.一种权利要求1的Ba_1-xMgLiGaM_xFBr_1-yS_y:Re_z，Ag_0.1光存储发光材料的制备方法，其特征在于所说的制备过程为：

1)将原料按照化学计量比混合，并加入溶剂充分研磨，再进行干燥；

2)采用固态反应，将研磨好的原料在800-1400℃高温下还原气氛中灼烧2-6小时，灼烧完毕的样品随炉温冷却到室温；

3)将样品研磨后过筛，并用溶剂洗涤两次，将样品进行干燥；

4)将干燥的样品与样品质量1/2的甲基丙烯酸甲脂溶液混合，在90--160℃烘干2小时，后将样品研磨后过筛，并用溶剂洗涤两次，将样品进行干燥即可涂屏。

6.按照权利要求5所述的制备方法，其特征在于所说的干燥方法为加热干燥法；干燥温度为0-160℃。

7.按照权利要求5所述的制备方法，其特征在于所说的的灼烧气氛为还原气氛，还原性气氛选择采用以下之一：活性炭粉，石墨包围，氮气或氮气与氢气的混合气。