[发明专利]Ba1－xMgLiGaMxFBr1－ySy∶Rez,Ag0.1光存储发光材料及其制备方法

说明书

【技术领域】

本发明属于光存储发光材料，特别涉及可用来探测医疗x线诊断影像，工业无损探伤的聚合物表面包覆稀土、银离子共激活的Ba_1-xMgLiGaM_xFBr_1-yS_y:Re_z，Ag_0.1光存储发光材料及其制备方法。

【背景技术】

目前，BaFx:Re是一种优良的光存储发光材料，并被广泛应用于医疗X线诊断影像，工业无损探伤的影像探测中。目前，日本专利申请公开说明书2001-011439披露了在氟卤化钡铕(BaFX:Eu，X为卤素或为卤素的组合)中掺杂一价金属离子；日本专利2001-345151报道了在氟卤化钡铕(BaFX:Eu，x为卤素或为卤素的组合)中掺杂二价金属离子；日本专利2001-144128揭示了了在氟卤化钡铕(BaFx:Eu，X为卤素或为卤素的组合)中共同掺杂一价和四价金属离子；美国专利6180949亦曾披露过在氟卤化钡铕(BaFx:Eu，X为卤素或为卤素的组合)中共同掺杂一价和二价与三价或四价金属离子的化合物。上述专利中采用该化合物的光存储发光材料制成的x线影像板并与相匹配的短波段适用的激光器配合使用。如：钇铝石榴石掺钕(Nd:YAG)激光器、氩离子激光器或者氦氖激光器。但是这类光存储发光材料的激励波长峰值必须处于这些激光器所发射波长的附近，否则会造成影像的模糊、灰度不丰富，甚至读不出影像。另外，这类激光器价格较贵、体积庞大的缺陷伴随着人们对于使用方便性越来越高的要求，人们希望能用现有的价廉小巧的半导体激光器代替在短波段使用的钇铝石榴石掺钕(Nd:YAG)激光器、氩离子激光器或者氦氖激光器。我国公开号为CN1408814A的专利报道了合成的稀土离子激活的氟溴碘钡(BaFBrI:Re)中掺入三价和四价金属离子形成的化合物，其所匹配的激励波长为650纳米-700纳米，简化了读出系统的设计。但是对于光存储材料，提高光存储效率、提高激励发光强度、所需激励波长的可调节性是研究的重要方面，尤其是通过光存储材料的表面处理来提高发光性能。

【发明内容】

本发明的目的是为了克服现有技术的不足，而提供一种聚合物表面包覆、激励波长的可调，提高光存储效率的光存储材料以及该光存储材料的制备方法。以适宜价廉小巧的半导体激光器作为其激励光源，从而提高了利用该样品涂覆制成的X线影像板的使用方便性和发光性能。

本发明制备为解决上述问题所采用的技术方案，是提供一种Ba_1-xMgLiGaM_xFBr_1-yS_y:Rez，Ag_0.1光存储发光材料，其特征在于所说的原料选用纯度为分析纯，包括BaCO₃，MgCO₃，LiCO₃，Ga₂O₃，AgNO₃，NH₄F，NH₄Br，硫粉，稀土离子(Re)的来源，是由其氧化物，卤化物，硝酸盐或硫酸盐其中之一所提供的；所掺入四价金属离子M的来源，是由其氧化物，卤化物或碳酸盐其中之一所提供的，溶剂为水或乙醇，表面包覆材料为甲基丙烯酸甲脂；其化学表达式为：

Ba_1-xMgLiGaM_xFBr_1-yS_y:Re_z，Ag_0.1

其中，M为Si，Ge，Pb或Ti中的一种元素；

Re为稀土离子，是镧(La)，铈(Ce)，镨(Pr)，钕(Nd)，钐(Sm)，铕(Eu)，钆(Gd)，铽(Tb)，镝(Dy)，钬(Ho)，铒(Er)，铥(Tm)，镱(Yb)或镥(Lu)中的一种；

x，y，z的取值范围为：0.0001＜x≤0.7，0.0001＜y≤0.7；0.0001＜z≤1。

本发明还提供了一种Ba_1-xMgLiGaM_xFBr_1-yS_y:Re_z，Ag_0.1光存储材料制备方法，其特征在于所说的制备过程为：

1)将原料按照化学计量比混合，并加入溶剂充分研磨，再进行干燥；