[发明专利]基片组合设备和方法有效
申请号: | 200710151646.X | 申请日: | 2004-11-24 |
公开(公告)号: | CN101126856A | 公开(公告)日: | 2008-02-20 |
发明(设计)人: | 许光虎;李在热;李宣必;崔浚泳;李荣钟 | 申请(专利权)人: | 爱德牌工程有限公司 |
主分类号: | G02F1/1333 | 分类号: | G02F1/1333;G02F1/13 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 李丙林;吴贵明 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 组合 设备 方法 | ||
本申请是分案申请,其原案申请的申请号为200410091653.1,申请日为2004年11月24日,发明名称为“基片组合设备和方法”。
技术领域
本发明涉及基片组合设备和方法,更具体而言,涉及一种基片组合设备,其通过由于重力而导致的下降使用真空室来组合上和下基片并且使用压力上的差异来改进其组合;并涉及一种基片组合方法。
背景技术
由于现在计算机和TV日益增加的使用,对液晶显示器(LCD)的需求已迅速增加。
作为LCD的一个部件,液晶基片包括两个基片,其被相互组合以使内部空间被形成于两个基片之间,并且液晶被注入到两个基片之间的内部空间中。
日本公开专利NO.2000-147528和韩国公开专利NO.2003-66845公开了用于组合液晶基片的常规设备和方法。韩国公开专利NO.2003-66845所公开的基片组合设备在图1中被示出,并且其操作将被描述如下。
就是说,液晶12被加载到第一玻璃基片11上。Ag点被形成于第二玻璃基片13上,并且密封材料14被施加于第二玻璃基片13。第一和第二玻璃基片11和13通过真空吸收而分别加载于所述设备的室10的上台和下台16上。上台和下台15和16被驱动以使液晶均匀地填充第一和第二玻璃基片11和13,通过将均匀的压力施加于其而相互组合,并且密封材料14被硬化。
在此,由于第一和第二玻璃基片11和13的组合是在真空条件下实现的,室10中的真空度比上台和第二台15和16的高,从而导致第一和第二玻璃基片11和13的吸收力的损失。因此,为了防止第一和第二玻璃基片11和13的吸收力的损失,基片容器(receiver)被安装在上台15上。
如在以上常规基片组合设备中所示,真空条件下的室10需要昂贵的上台和下台15和16(例如静电卡盘)以便于吸收对应的基片11和13,由此增加设备的尺寸和产品的生产成本。操作台15和16的错误可导致维持基片11和13的吸收力的均匀性中的困难。
室10中的真空度通常是低的,如0.001托。这样,室10需要膨胀涡轮泵。
由于对基片11和13的组合是在真空条件下实现的,上台或下台15或16和第一或第二玻璃基片11或13之间的吸收可被释放。因此,为了解决以上问题,上台或下台15或16需要附加的基片容器。
发明内容
因此,考虑到以上问题而作出了本发明,并且本发明的目的是提供基片组合设备和方法,其中简单且不贵的结构被获得以降低产品的生产成本,基片被有效地组合,并且用于组合基片的压力被自由地调节。
本发明的另一个目的是提供基片组合设备和方法,其中至少两个基片通过单个步骤而同时组合。
依照本发明,以上和其它目的可通过提供基片组合设备来实现,该设备包括:真空室,其内部压力通过对闸阀的操作来控制;上基板,用于通过真空吸收将基片安装在真空室内部的顶部上,该上基板包括基片下落装置,其使基片下降;以及下基板,用于将上表面施加了密封材料的基片固定于真空室内部的底部。
优选地,真空室可包括中等真空泵和正压供应线,并且真空室的内部可通过对闸阀的操作而处于中等真空状态或正压状态。
附图说明
从结合附图进行以下详述将较为清楚地理解本发明的以上和其它目的、特点和其它优点,在附图中:
图1是常规基片组合设备的纵向断面图;
图2是依照本发明第一实施例的基片组合设备的纵向断面图;
图3A到3F是分别说明图2的基片组合设备的操作步骤的纵向断面图;
图4是说明使用图2的基片组合设备的基片组合方法的流程图;
图5是依照本发明第二实施例的基片组合设备的纵向断面图;
图6是说明使用依照本发明第一实施例的基片组合设备组合上和下基片的示意图;
图7是说明依照本发明第二实施例的基片组合方法的流程图;
图8是依照本发明第三实施例的基片组合设备的纵向断面图;
图9是说明依照本发明第三实施例的基片组合方法的流程图;以及
图10A到10D是说明依照本发明第三实施例的基片组合方法的纵向断面图。
具体实施方式
现在将参照附图来详述本发明的优选实施例。
<第一实施例>
如图2中所示,依照本发明第一实施例的基片组合设备包括:真空室110;上基板120,其被安装在真空室110的顶部上;以及下基板130,其被安装在真空室110的底部上。
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