[发明专利]闪速存储器件及其擦除方法在审
申请号: | 200710151719.5 | 申请日: | 2007-09-27 |
公开(公告)号: | CN101154454A | 公开(公告)日: | 2008-04-02 |
发明(设计)人: | 王钟铉 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李德山;杨生平 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 器件 及其 擦除 方法 | ||
1.一种闪速存储器的擦除方法,该方法包括:
对包括多个页的存储单元块执行擦除操作;
执行擦除验证操作,并存储关于包括没有被正常擦除的未擦除存储单元的页的未擦除页信息;以及
基于未擦除页信息,对包括未擦除存储单元的页执行另外的擦除操作,
其中当存在未擦除存储单元时,所述擦除验证操作和所述另外的擦除操作被重复地执行。
2.如权利要求1所述的擦除方法,其中所述擦除验证操作在每个页组上被执行,其中两个或更多页被设置成一个页组。
3.如权利要求2所述的擦除方法,其中当执行所述擦除操作或所述另外的擦除操作时,擦除电压被施加到存储单元块的阱20μs到1500μs。
4.如权利要求1所述的擦除方法,其中未擦除页信息包括页的地址,其中该页包括未擦除存储单元。
5.如权利要求1所述的擦除方法,其中所述未擦除页信息根据所述擦除验证操作的结果而被更新。
6.一种闪速存储器件,包括:
多个存储单元块,所述多个存储单元块分别包括多个页;
全局控制电路,其在擦除操作时向所述页中的每一个施加擦除操作电压,通过擦除验证操作来存储与包括没有被正常擦除的未擦除存储单元的页对应的未擦除页信息,以及施加擦除操作电压以使得仅未擦除页在另外的擦除操作时被再次擦除;
X解码器,其根据地址信号输出块信号以用于选择所述存储单元块中的一个;以及
闭塞开关,其根据块选择信号将从所述全局控制电路输出的擦除操作电压传递到所选的存储单元块。
7.如权利要求6所述的闪速存储器件,其中所述擦除验证操作在每个页组上被执行,其中两个或更多页被设置成一个页组。
8.如权利要求6所述的闪速存储器件,其中当执行所述擦除操作或所述另外的擦除操作时,擦除电压被施加到存储单元块的阱20μs到1500μs。
9.如权利要求6所述的闪速存储器件,其中未擦除页信息包括页的地址,其中该页包括未擦除存储单元。
10.如权利要求6所述的闪速存储器件,其中未擦除页信息根据擦除验证操作的结果而被更新。
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