[发明专利]读取存储器阵列的方法有效
| 申请号： | 200710152904.6 | 申请日： | 2007-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN101236787A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 周铭宏;熊福嘉 | 申请（专利权）人： | 擎泰科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;H01L29/788 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云;许向华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 读取 存储器 阵列 方法 | ||
1.一种读取存储器阵列的方法，该存储器阵列包含右数据线、左数据线、列栅极共同耦接的选择栅极、多个右浮置栅极，其中每个右浮置栅极耦接于对应的选择栅极与该右数据线之间，以及多个左浮置栅极，其中每个左浮置栅极耦接于对应的选择栅极与该左数据线之间，该方法包含：
开启该列选择栅极；
预先程式化第一右浮置栅极使其临界电压为高电压与预先程式化第一左浮置栅极使其临界电压为低电压；
其中该第一左浮置栅极与该第一右浮置栅极耦接于相同的第一字线；
将该右数据线的电压充电至第一预定值；
将该第一字线充电至第二预定值，该第二预定值介于该第一右浮置栅极的高临界电压与该第一左浮置栅极的低临界电压之间；
将耦接于第二右浮置栅极的第二字线充电至第三预定值；及
比较该左数据线的电流与第四预定值的差异。
2.如权利要求1所述的方法，另包含预先程式化第三右浮置栅极使其临界电压为低电压与预先程式化第三左浮置栅极使其临界电压为高电压；其中该第三左浮置栅极与该第三右浮置栅极耦接于相同的第三字线。
3.一种读取存储器阵列的方法，该存储器阵列包含右数据线、左数据线、列栅极共同耦接的选择栅极、多个右浮置栅极，其中每个右浮置栅极耦接于对应的选择栅极与该右数据线之间，以及多个左浮置栅极，其中每个左浮置栅极耦接于对应的选择栅极与该左数据线之间，该方法包含：
开启该列选择栅极；
预先程式化第一右浮置栅极使其临界电压为高电压与预先程式化第一左浮置栅极使其临界电压为低电压；
其中该第一左浮置栅极与该第一右浮置栅极耦接于相同的第一字线；
将该右数据线的电压充电至第一预定值；
将该第一字线充电至第二预定值，该第二预定值介于该第一右浮置栅极的高临界电压与该第一左浮置栅极的低临界电压之间；
将耦接于第二右浮置栅极的第二字线充电至第三预定值；及
比较该左数据线的电压与第四预定值的差异。
4.如权利要求3所述的方法，另包含预先程式化第三右浮置栅极使其临界电压为低电压与预先程式化第三左浮置栅极使其临界电压为高电压；其中该第三左浮置栅极与该第三右浮置栅极耦接于相同的第三字线。
5.一种读取存储器阵列的方法，该存储器阵列包含右数据线、左数据线、列栅极共同耦接的选择栅极、多个右浮置栅极，其中每个右浮置栅极耦接于对应的选择栅极与该右数据线之间，以及多个左浮置栅极，其中每个左浮置栅极耦接于对应的选择栅极与该左数据线之间，该方法包含：
开启该列选择栅极；
预先程式化第一右浮置栅极使其临界电压为高电压与预先程式化第一左浮置栅极使其临界电压为低电压；
其中该第一左浮置栅极与该第一右浮置栅极耦接于相同的第一字线；
将该左数据线的电压充电至第一预定值；
将该第一字线充电至一第二预定值，该第二预定值介于该第一右浮置栅极的高临界电压与该第一左浮置栅极的低临界电压之间；
将耦接于第二右浮置栅极的第二字线充电至第三预定值；及
比较该右数据线的电流或电压与第四预定值的差异。
6.如权利要求5所述的方法，另包含预先程式化第三右浮置栅极使其临界电压为低电压与预先程式化第三左浮置栅极使其临界电压为高电压；其中该第三左浮置栅极与该第三右浮置栅极耦接于相同的第三字线。
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