[发明专利]闪存阵列的读取操作方法有效
| 申请号： | 200710152953.X | 申请日： | 2007-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN101154460A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 金钟五;权彝振;刘承杰 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/24 | 分类号： | G11C16/24 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 左一平 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 闪存 阵列 读取 操作方法 | ||
1.一种闪存阵列的读取操作方法，所述闪存具有多个存储器单元、多条字元线、多条偶数位元线、多条奇数位元线及多个位元线晶体管，其特征在于，所述读取操作方法包括：
对所述多个偶数位元线临时预充电至大约Vcc/n，其中n大于1；
对所述多个奇数位元线临时预充电至地电势或虚拟地电势；以及
对流进/流出每个存储器单元的一个第一位元位置的电流进行选择性地检测。
2.如权利要求1所述的闪存阵列的读取操作方法，其特征在于，还包括：
对所述多个奇数位元线临时预充电至大约Vcc/n；
对所述多个偶数位元线临时预充电至地电势或虚拟地电势；以及
对流进/流出每个存储器单元的一个第二位元位置的电流进行选择性地检测。
3.如权利要求1所述的闪存阵列的读取操作方法，其特征在于，n大约等于2。
4.一种闪存阵列的读取操作方法，所述闪存具有多个存储器单元、多条字元线、多条偶数位元线、多条奇数位元线及多个位元线晶体管，其特征在于，所述读取操作方法包括：
对所述多个偶数位元线临时预充电至大约Vcc/n，其中n大于1；
对所述多个奇数位元线临时预充电至地电势或虚拟地电势；
对流进/流出每个存储器单元的一个第一位元位置的电流进行选择性地检测；以及
根据检测到的每个存储器单元的源极侧或漏极侧的电流，确定每个存储器单元的第一位元位置的逻辑状态。
5.如权利要求4所述的闪存阵列的读取操作方法，其特征在于，还包括：
对所述多个奇数位元线临时预充电至大约Vcc/n；
对所述多个偶数位元线临时预充电至地电势或虚拟地电势；
对流进/流出每个存储器单元的一个第二位元位置的电流进行选择性地检测；以及
根据检测到的每个存储器单元的源极侧或漏极侧的电流，确定每个存储器单元的第二位元位置的逻辑状态。
6.如权利要求4所述的闪存阵列的读取操作方法，其特征在于，n大约等于2。
7.一种闪存阵列的读取操作方法，所述闪存具有多个存储器单元、多条字元线、多条偶数位元线、多条奇数位元线及多个位元线晶体管，其特征在于，所述读取操作方法包括：
对所述多个偶数位元线临时预充电至大约Vcc/n，其中n大于1；
对所述多个奇数位元线临时预充电至地电势或虚拟地电势；
通过选择性地控制连接至每个存储器单元的位元线晶体管，对流进/流出每个存储器单元的一个第一位元位置的电流进行选择性地检测；
对所述多个奇数位元线临时预充电至大约Vcc/n；
对所述多个偶数位元线临时预充电至地电势或虚拟地电势；以及
通过选择性地控制连接至每个存储器单元的位元线晶体管，对流进/流出每个存储器单元的一个第二位元位置的电流进行选择性地检测。
8.如权利要求7所述的闪存阵列的读取操作方法，其特征在于，n大约等于2。
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