[发明专利]浸润微影设备与浸润曝光方法无效
申请号: | 200710153191.5 | 申请日: | 2007-09-28 |
公开(公告)号: | CN101174101A | 公开(公告)日: | 2008-05-07 |
发明(设计)人: | 林本坚;张庆裕 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;H01L21/027 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 潘培坤 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 浸润 设备 曝光 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种浸润微影技术,且特别涉及一种使用一密封的晶片浴(seal wafer bath)的浸润微影系统。
背景技术
浸润微影技术是一种在微影技术上较新的进展,其中曝光步骤是通过在晶片表面与镜头之间填入液体而进行。与在空气下使用镜头的情况相比,使用浸润微影技术能创造更大量的开口,因而增进分辨率。而且,在浸润的情况下则提供用于提供更小特征的景深(Enhanced Depth-of-Focus;DOF)。本说明书并不限于浸润微影技术,而是为浸润微影技术提供一个能从下面详述的本发明中获益的半导体工艺的例子。
发明内容
为达到上述目的,本发明的实施例提供一种浸润微影设备,包括:一镜头组(assembly),包括一影像镜头;一晶片基座,用于将晶片保持于该镜头组下方,该晶片基座包括置于一密封环框架上且沿着保持于该晶片基座上的该晶片的一顶部边缘的一密封环;以及一流体槽,用于保持浸润流体,其中流体槽包括该晶片基座,以使保持在该晶片基座上的该晶片完全浸润于该浸润流体中;以及一外盖,置于该流体槽的至少一个部分,用以在该流体槽内提供一个温度受到控制且富含流体的环境。
本发明的实施例还提供一种浸润曝光方法,包括:将一晶片置放于一晶片基座上,其中该晶片基座位于一影像镜头下方;使一密封环降低至该晶片基座的一密封环框架上,以使得该密封环沿着该晶片的一顶部边缘而放置,其中该密封环用于密封位于该晶片的一边缘与该晶片基座间的间隙;以及以一浸润流体填充一配置有该晶片基座的流体槽,使得该晶片完全沉没于该浸润流体内。
本发明的实施例又提供一种浸润微影设备,包括:一影像装置;一保持装置,用于将一晶片保持在该影像装置下,其中该保持装置包括一密封环组;一容器,用于储存一浸润流体;其中该容器包括该保持装置以促使保持在该保持装置上的该晶片完全沉没于该浸润流体内;以及一外盖,覆盖该容器的至少一部分,用于在该容器内提供一个温度受到控制及富含流体的环境。
为使本发明的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂,下文特举出较佳实施例,并配合附图作详细说明如下:
附图说明
图1A示出一LBC浸润系统。
图1B示出一LBC浸润系统的其它设计。
图2示出一WBC浸润系统。
图3示出一较佳实施例中使用密封晶片浴的全浸润微影系统的上视图。
图4示出图3的全浸润微影系统的侧视图。
图5示出图3的全浸润微影系统的放大侧视图,显示其邻近外盖。
图6示出图3的全浸润微影系统,显示其封闭(enclosing)外盖。
图7示出位于一位置的晶片,其中镜头区域在该位置配置于该晶片的最顶端的曝光位置。
图8示出位于一位置的晶片,其中镜头区域在该位置配置于该晶片的最左边的曝光位置。
图9示出图3的全浸润微影系统,其中保持壁(retaining wall)已被降低而使浸润流体从该浸润微影系统泄出。
图10示出图3的全浸润微影系统的其它组合。
图11示出另一实施例的全浸润微影系统。
图12示出又一实施例的全浸润微影系统。
图13示出一实施例的用于在使用全浸润微影工艺的曝光后从一晶片移除残余流体的干燥头。
其中,附图标记说明如下:
100LBC系统 102浸润头 104影像镜头 106流体入口
108流体出 110区域 112晶片 114晶片基座
116真空系统 120流体排水沟 200WBC系统 202流体
204区域 206镜头 208晶片 210流体入口
212流体出口 214外盖 302晶片基座 304晶片
306真空系统 308镜头组 309浸润流体 310槽
311流体保持壁 312密封环 313密封环框架 314邻近外盖
318封闭外盖 320扫瞄区域 322区域 324狭缝
332流体入口 334沟槽 336流体溢流孔 510箭头
500干燥头 501晶片 504箭头 502流体真空出口
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