[发明专利]检测字线错误的方法无效
| 申请号： | 200710153208.7 | 申请日： | 2007-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101271732A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 池田勇人 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/08 | 分类号： | G11C29/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 葛宝成;黄小临 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 检测 错误 方法 | ||
1.一种测试存储器装置的字线错误的方法，该存储器装置包括一存储器单元，其具有一字线、一位线、一晶体管与该字线以及该位线连接，该方法包括：
利用一字线驱动器，驱动该字线至第一电压电平，以导通该存储器单元的该晶体管；以及
降低该字线驱动器的驱动能力。
2.如权利要求1所述的用于测试存储器装置的字线错误的方法，其中，该字线的该第一电压电平为Vpp。
3.如权利要求1所述的用于测试存储器装置的字线错误的方法，其中，当该字线与该位线短路时，该字线的该电压电平在降低该字线驱动器的驱动能力之后会受到该位线影响而降低至第二电压电平。
4.如权利要求3所述的用于测试存储器装置的字线错误的方法，其中，该第二电压电平为Vcc。
5.如权利要求3所述的用于测试存储器装置的字线错误的方法，其中，存储在该存储器单元的一高电平数据在下一个读取周期中错误地读出为一低电平数据，且判定一字线错误。
6.如权利要求1所述的用于测试存储器装置的字线错误的方法，其中，用于降低该字线驱动器的驱动能力的一预设时序藉由一内部的延迟电路控制。
7.如权利要求1所述的用于测试存储器装置的字线错误的方法，其中，该方法在该存储器装置的一封装阶段前执行。
8.一种测试存储器装置的字线错误的方法，该存储器装置包括一存储器单元，其具有一字线、一位线、一晶体管与该字线以及该位线连接，该方法包括：
利用一字线驱动器，驱动该字线至第一电压电平，以关闭该存储器单元的该晶体管；以及
降低该字线驱动器的驱动能力。
9.如权利要求8所述的用于测试一存储器装置的一字线错误的方法，其中该字线的该第一电压电平为Vss。
10.如权利要求8所述的用于测试一存储器装置的一字线错误的方法，其中，当该字线与该位线短路时，该字线的该电压电平在降低该字线驱动器的驱动能力之后受到该位线影响而升高至第二电压电平。
11.如权利要求10所述的用于测试一存储器装置的一字线错误的方法，其中，该第二电压电平为Vcc或1/2Vcc。
12.如权利要求10所述的用于测试一存储器装置的一字线错误的方法，其中，在降低该字线驱动器的驱动能力之后，与该字线连接的该晶体管会被导通，且存储在存储器单元内的一笔数据会被销毁以至于在下一个读取周期中判定为一字线错误。
13.如权利要求8所述的用于测试一存储器装置的一字线错误的方法，其中，用于降低该字线驱动器的驱动能力的一预设时序利用一内部的延迟电路控制。
14.如权利要求8所述的用于测试一存储器装置的一字线错误的方法，其中，该方法在该存储器装置的一封装阶段前执行。
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