[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种在基板上进行给定的处理的基板处理方法以及基板处理装置。

背景技术

一直以来，人们使用基板处理装置在半导体晶圆、光掩模用玻璃基板、液晶显示装置用玻璃基板、光盘用玻璃基板等基板上进行各种处理。

在基板处理装置中，使用药液对基板实施了给定处理之后，使用纯水等冲洗液进行基板的冲洗处理。其后，使基板高速旋转，利用离心力将残留在基板上的冲洗液甩到基板的外侧，从而使基板干燥(例如，参照JP特开2006-108349号公报)。

在使基板旋转而甩掉冲洗液的情况下，作用于基板上的冲洗液的离心力的方向限定为从基板的内侧指向外侧的方向。暴露在基板表面上的冲洗液受到离心力的作用而向基板的外侧水平移动，被从基板上除去。

但是，在基板上由绝缘膜、金属膜、半导体膜等各种膜形成有电路图案，因此基板上存在沟或孔等各种凹凸。因此，供给到基板上的冲洗液的一部分会进入这些凹凸的凹部(以下称为孔洞)内。

浸入基板上的孔洞内的冲洗液不能向基板的外侧水平移动。因此，孔洞内的冲洗液不会借助于离心力甩出去，最终会残留在基板上。

冲洗液如果在基板上残留下来，则会与大气中的氧气和基板表面或基板上的金属物质等发生反应，从而会在基板上生成反应生成物。特别地，在使用纯水作为冲洗液或者使用硅基板作为基板的情况下，容易生成水印(水渍)这样的反应生成物。

此外，有一种方法是在冲洗处理后通过将纯水置换成IPA(异丙醇)来抑制水印的生成，但即使是在这种情况下也无法除去进入基板上的孔洞内的纯水，因此不能切实地防止水印的生成。

发明内容

本发明的目的是提供一种能够切实地防止冲洗液残留在基板上的基板处理方法以及基板处理装置。

(1)遵循本发明的一个方面的基板处理方法包括：冲洗液供给工序，向基板的一个面上供给冲洗液；涂液工序，在冲洗液供给工序之后将氢氟醚布满基板的一个面；清除工序，清除布满基板的一个面的氢氟醚。

在这种基板处理方法中，向基板的一个面上供给冲洗液之后，在该基板面上布满氢氟醚。其后，所涂布的氢氟醚被清除。

氢氟醚的挥发性比纯水等一般的冲洗液高，比重比冲洗液大，而且表面张力比冲洗液小。而且，氢氟醚在冲洗液中不溶解。

由此，即使在供给冲洗液时一部分冲洗液浸入了存在于基板的一个面上的孔洞(凹部)内，在涂布氢氟醚时这些冲洗液也会从孔洞内浮出到氢氟醚上面。

浮出到氢氟醚上面的冲洗液与氢氟醚一起被清除掉，离开基板W。由此就能够切实地防止冲洗液残留在基板上，从而防止水印等反应生成物的生成。

(2)冲洗液供给工序也可以包括将冲洗液布满基板的一个面的工序；涂液工序也可以包括使基板的一个面不暴露在外部气体的状态下将布满基板的一个面的冲洗液置换成氢氟醚的工序。

这种情况下，在基板的一个面上不形成冲洗液的界面。亦即，基板的一个面、冲洗液以及外部气体这3个要素不会同时发生接触。因此，防止了这3个要素产生的反应，防止了反应生成物的生成。

(3)涂液工序也可以包括：将基板保持为近似水平并使其绕着与基板垂直的轴旋转的工序、和朝着旋转的基板的中央部位喷出氢氟醚的工序。

这种情况下，氢氟醚在向冲洗液的液层内沉降的同时从基板的中心部位向周边部位扩散，从而将冲洗液推出去。由此，能够在使基板的一个面不暴露在外部气体的状态下将布满基板的一个面的冲洗液置换成氢氟醚。另外，能够高效地将氢氟醚布满基板的一个面，因此能够抑制氢氟醚的消耗量。

(4)涂液工序也可以包括：将基板保持为近似水平的工序、和使具有宽度大于基板直径的狭缝状喷出口的喷嘴与基板的一个面近似平行地移动，同时从喷出口向基板上喷出氢氟醚的工序。

这种情况下，氢氟醚被从基板的一个面的一端涂布到另一端，与此同时，冲洗液被从基板的一个面的另一端推出去。由此，能够在使基板的一个面不暴露在外部气体中的状态下将布满基板的一个面的冲洗液置换成氢氟醚。

(5)基板处理方法也可以进一步包括向布满基板的一个面上的氢氟醚施加超声波振动的超声波振动施加工序。

这种情况下，即使冲洗液被保持在孔洞内而难以浮出到氢氟醚上面，通过施加超声波振动，也会将冲洗液从孔洞中抽出来，使其漂浮到氢氟醚上面。由此能够切实地清除冲洗液。

(6)清除工序也可以包括通过使基板旋转而将布满基板的一个面的氢氟醚甩掉的工序。

这种情况下，借助于伴随着基板的旋转所产生的离心力将氢氟醚甩到基板的外侧，清除出去。