[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200710153708.0 | 申请日： | 2007-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN101145581A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 山本英雄;小林研也 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/41 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件，包括：
沟槽，其形成在半导体衬底中；
栅电极，其掩埋在所述沟槽中；
源电极，其设置在所述栅电极之上；以及
绝缘膜，其以所述绝缘膜跨越所述沟槽的末端的方式，设置在所述栅电极和所述源电极之间，并且所述绝缘膜的一部分掩埋在所述沟槽中。
2.如权利要求1所述的半导体器件，
其中所述栅电极被容纳在所述沟槽中。
3.如权利要求1所述的半导体器件，
其中所述源电极跨越所述沟槽的所述末端。
4.如权利要求1所述的半导体器件，
其中所述绝缘膜包括：位于所述沟槽内的第一绝缘膜；和位于所述沟槽外的第二绝缘膜，以及
所述第二绝缘膜跨越所述沟槽的所述末端。
5.如权利要求4所述的半导体器件，
其中在所述沟槽的所述末端处的所述第二绝缘膜的厚度等于或大于所述第一绝缘膜的厚度的最大值。
6.如权利要求4所述的半导体器件，
其中所述第一和第二绝缘膜的至少一个包括NSG和BPSG的至少一种。
7.如权利要求1所述的半导体器件，
进一步包括连接在所述栅电极和所述源电极之间的齐纳二极管。
8.如权利要求6所述的半导体器件，
其中所述第一和第二绝缘膜包括NSG。
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