[发明专利]高速信号的电优化和结构保护的通孔结构及其制造方法

权利要求书

1.一种多层装置，包括：

至少一参考平面；

连接在多层装置中的至少一层与在所述多层装置中的至少另一层的通路孔，其中所述通路孔具有在所述通路孔和至少一参考平面之间的通路孔隔离区，使得所述通路孔不与所述至少一参考平面接触，所述通路孔隔离区包括介电材料；和

在所述通路孔隔离区内提供的至少一浮置支撑构件，其中所述浮置支撑构件不与所述通路孔或至少一参考平面电连接。

2.根据权利要求1的多层装置，其中所述至少一浮置支撑构件具有环形配置，并且其中至少一浮置支撑构件环绕所述通路孔。

3.根据权利要求1的多层装置，其中所述至少一浮置支撑构件包括通过一或多个浮置微通路孔结构连接的多个浮置支撑构件。

4.根据权利要求1的多层装置，其中所述至少一浮置支撑构件使用结构刚性的材料制造。

5.根据权利要求1的多层装置，其中所述至少一浮置支撑构件使用金属材料制造。

6.根据权利要求1的多层装置，还包括提供于所述多层装置一表面上的触点。

7.根据权利要求6的多层装置，其中在所述触点和至少一参考平面之间存在基本为零的电容效应。

8.根据权利要求6的多层装置，其中所述触点相对于所述至少一参考平面定位使得所述触点与至少一参考平面基本上零重叠。

9.根据权利要求1的多层装置，其中所述多层装置是多层有机MLO封装、多层陶瓷MLC封装、或印刷电路板PCB之一。

10.根据权利要求1的多层装置，其中所述至少一浮置支撑构件在通路孔隔离区内提供了对抗施加到所述多层装置的外力的结构支撑。

11.一种多层装置的制造方法，包括

提供至少一参考平面；

提供连接在多层装置中的至少一层与在所述多层装置中的至少另一层的通路孔，其中所述通路孔具有在所述通路孔和至少一参考平面之间的通路孔隔离区，使得所述通路孔不与所述至少一参考平面接触，所述通路孔隔离区包括介电材料；并且

提供在所述通路孔隔离区内提供的至少一浮置支撑构件，其中所述浮置支撑构件不与所述通路孔或至少一参考平面电连接。

12.根据权利要求11的方法，其中所述至少一浮置支撑构件具有环形配置，并且其中至少一浮置支撑构件环绕所述通路孔。

13.根据权利要求11的方法，其中所述至少一浮置支撑构件包括通过一或多个浮置微通路孔结构连接的多个浮置支撑构件。

14.根据权利要求11的方法，其中所述至少一浮置支撑构件使用结构刚性的材料制造。

15.根据权利要求11的方法，其中所述至少一浮置支撑构件使用金属材料制造。

16.根据权利要求11的方法，还包括提供于所述多层装置一表面上的触点。

17.根据权利要求16的方法，其中在所述触点和至少一参考平面之间存在基本为零的电容效应。

18.根据权利要求16的方法，其中所述触点相对于所述至少一参考平面定位使得所述触点与至少一参考平面基本上零重叠。

19.根据权利要求11的方法，其中所述多层装置是多层有机MLO封装、多层陶瓷MLC封装、或印刷电路板PCB之一。

20.根据权利要求11的方法，其中所述至少一浮置支撑构件在通路孔隔离区内提供了对抗施加到所述多层装置的外力的结构支撑。