[发明专利]磁头滑块及其制造方法和用于该磁头滑块的研磨装置

权利要求书

1.一种驱动器，该驱动器包括：

滑块体，其具有介质相对表面；

非磁性绝缘膜，其覆盖在所述滑块体的流出端表面上；

轨道，其形成在所述滑块体的所述介质相对表面上，该轨道延伸到达所述滑块体的流出端；

第一保护膜，其覆盖在所述轨道的顶面上，该第一保护膜具有非研磨面；

第二保护膜，其与所述第一保护膜相连续地形成，该第二保护膜在所述轨道的下游位置处覆盖在所述非磁性绝缘膜的表面上；

磁头元件，其在所述轨道的下游位置处嵌入在所述非磁性绝缘膜中；

加热器，其嵌入在所述非磁性绝缘膜中，该加热器与所述磁头元件相关联；以及

凹陷部，其至少部分地限定在所述第二保护膜上，该凹陷部与所述加热器相关联。

2.根据权利要求1所述的驱动器，其中，当所述非磁性绝缘膜响应于所述加热器产生的热而形成突起时，在所述非磁性绝缘膜的所述突起的梢端处在所述第二保护膜上形成平坦的被研磨面。

3.根据权利要求2所述的驱动器，该驱动器还包括控制器电路，该控制器电路指定当所述平坦的被研磨面与存储介质相接触时，所述非磁性绝缘膜的所述突起的突起量，该控制器电路基于在所述平坦的被研磨面与所述存储介质相接触时指定的所述突起量，确定所述非磁性绝缘膜的所述突起的突起量，以使所述滑块体以预定飞行高度正常飞行。

4.根据权利要求3所述的驱动器，其中，所述凹陷部的深度被设置在从0.1nm至3.0nm的范围中。

5.根据权利要求4所述的驱动器，其中，至少所述第二保护膜具有在从0.1nm至3.0nm的范围中的用于研磨的裕量。

6.根据权利要求5所述的驱动器，其中，所述第二保护膜包括：

实现所述裕量的表面层；以及

承载所述表面层的一个或更多个基本保护层。

7.一种制造驱动器的方法，该方法包括以下步骤：

在加热器的帮助下使磁头元件朝向存储介质突起，所述磁头元件嵌入在覆盖在磁头滑块的滑块体的流出端表面上的非磁性绝缘膜中，所述加热器与所述磁头元件相关联地嵌入在所述非磁性绝缘膜中；

检测所述存储介质与覆盖在所述磁头元件上方的保护膜之间的接触；以及

当检测到所述接触时，增加所述磁头元件的突起量。

8.根据权利要求7所述的方法，该方法还包括以下步骤：

将所述存储介质放置在所述驱动器的外壳中；以及

在所述磁头元件突起之前，将所述磁头滑块放置在所述驱动器的所述外壳中，其中，

利用从所述磁头元件输出的读信号来检测所述接触。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述存储介质与所述保护膜之间的接触的总持续时间被设置在从0.004秒至3000秒的范围中。

10.一种磁头滑块，该磁头滑块包括：

滑块体，其具有介质相对表面；

非磁性绝缘膜，其覆盖在所述滑块体的流出端表面上；

轨道，其形成在所述滑块体的所述介质相对表面上，该轨道延伸到达所述滑块体的流出端；

第一保护膜，其覆盖在所述轨道的顶面上，该第一保护膜具有非研磨面；

第二保护膜，其与所述第一保护膜相连续地形成，该第二保护膜在所述轨道的下游位置处覆盖在所述非磁性绝缘膜的表面上；

磁头元件，其在所述轨道的下游位置处嵌入在所述非磁性绝缘膜中；

加热器，其嵌入在所述非磁性绝缘膜中，该加热器与所述磁头元件相关联；以及

凹陷部，其至少部分地限定在所述第二保护膜上，该凹陷部与所述加热器相关联。

11.根据权利要求10所述的磁头滑块，其中，当所述非磁性绝缘膜响应于所述加热器产生的热而形成突起时，在所述非磁性绝缘膜的所述突起的梢端处在所述第二保护膜上形成平坦的被研磨面。

12.根据权利要求11所述的磁头滑块，其中，所述凹陷部的深度被设置在从0.1nm至3.0nm的范围中。

13.根据权利要求12所述的磁头滑块，其中，至少所述第二保护膜具有在从0.1nm至3.0nm的范围中的用于研磨的裕量。