[发明专利]磁头滑块及其制造方法和用于该磁头滑块的研磨装置无效
申请号: | 200710154067.0 | 申请日: | 2007-09-13 |
公开(公告)号: | CN101174417A | 公开(公告)日: | 2008-05-07 |
发明(设计)人: | 尾关雅博 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | G11B5/31 | 分类号: | G11B5/31;G11B21/21;G11B5/60;B24B19/26 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李辉 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 磁头 及其 制造 方法 用于 研磨 装置 | ||
技术领域
本发明涉及安装在诸如硬盘驱动器(HDD)的驱动器中的磁头滑块。具体地说,本发明涉及一种包括与磁头元件相关联地嵌入在非磁性膜中的加热器的磁头滑块。
背景技术
例如,在磁头滑块中,由Al2O3-TiC制成的滑块体上覆盖有由Al2O3(氧化铝)制成的非磁性膜。非磁性膜中嵌入有磁头元件和加热器。例如,在非磁性膜的表面上形成有由类金刚石(DLC)制成的保护膜。保护膜覆盖在磁头元件的读间隙和写间隙上方。
向磁头元件中的薄膜线圈图案施加加热器的热。薄膜线圈图案的热膨胀使磁头元件的读间隙和写间隙能够接近磁记录盘。因此,可以根据薄膜线圈图案的突起量来确定磁头元件的飞行高度。
利用所谓的零校准来确定突起量。在零校准中,薄膜线圈图案的突起量逐渐增加。当保护膜与磁记录盘相接触时,捕获薄膜线圈图案的突起量。利用捕获到的突起量来确定用于进行写入/读取的突起量。因此,零校准要求可靠地检测到保护膜与磁记录盘之间的接触。
发明内容
因此,本发明的目的在于提供一种能够可靠地检测到磁头元件突起时保护膜与存储介质之间的接触的驱动器。本发明的目的还在于提供一种制造这种驱动器的方法。此外,本发明的目的还在于提供一种非常有助于实现所述驱动器的磁头滑块及其制造方法和用于该磁头滑块的研磨装置。
根据本发明,提供了一种驱动器,该驱动器包括:滑块体,其具有介质相对表面;非磁性绝缘膜,其覆盖在所述滑块体的流出端表面上;轨道,其形成在所述滑块体的所述介质相对表面上,该轨道延伸到达所述滑块体的流出端;第一保护膜,其覆盖在所述轨道的顶面上;第二保护膜,其与所述第一保护膜相连续地形成,该第二保护膜在所述轨道的下游位置处覆盖在所述非磁性绝缘膜的表面上;磁头元件,其在所述轨道的下游位置处嵌入在所述非磁性绝缘膜中;以及加热器,其嵌入在所述非磁性绝缘膜中,该加热器与所述磁头元件相关联。所述驱动器使得可以当所述非磁性绝缘膜响应于所述加热器产生的热而形成突起时,在所述非磁性绝缘膜的所述突起的梢端处在所述第二保护膜上形成平坦的被研磨面。
例如,在所谓的零校准过程中,被研磨面与存储介质相接触的面积较大。因此每单位面积的推力减小。这导致使突起的磨损最小化。此外,被研磨面瞬时粘住存储介质的表面。这导致磁头滑块产生轻微的振动或摆动。可以响应于该振动来可靠地检测到磁头滑块与存储介质之间的接触。在第二保护膜上的突起的梢端变尖的情况下,防止突起粘住存储介质的表面。这导致防止磁头滑块产生轻微的振动和摆动。因此,即使突起与存储介质相接触,有时也会错过对该接触的检测。
可以提供一种特殊的方法来制造前述驱动器。该方法可以包括以下步骤:在加热器的帮助下使磁头元件朝向存储介质突起,所述磁头元件嵌入在覆盖在磁头滑块的滑块体的流出端表面上的非磁性绝缘膜中,所述加热器与所述磁头元件相关联地嵌入在所述非磁性绝缘膜中;检测所述存储介质与覆盖在所述磁头元件上方的保护膜之间的接触;以及当检测到所述接触时,增加所述磁头元件的突起量。
所述方法使得可以在形成被研磨面之前在轨道的顶面上和非磁性绝缘膜的表面上形成保护膜。该保护膜的厚度被设置为比保护磁头元件所需的最小厚度大。基于这种厚度较大的保护膜而形成被研磨面。因此,当保护膜响应于加热器产生的热而形成突起时,该突起的梢端实现相对平滑的曲面。这导致当突起与存储介质相接触时,可靠地实现突起与存储介质的“附接”或“粘附”。因此,可以可靠地检测到保护膜与存储介质之间的接触。在保护膜的厚度相对小的情况下,突起的梢端趋于变尖。突起的变尖的梢端妨碍对保护膜与记录介质之间的接触的检测。因此,被研磨面被过度研磨。例如,所述存储介质与所述保护膜之间的接触的总持续时间可以被设置在从0.004秒至3000秒的范围中。例如,所述存储介质的表面粗糙度Ra可以被设置在从0.3nm至3.0nm的范围中。当增加突起量时,磁头元件可以读出保持在存储介质上的磁比特数据。来自磁头元件的输出和磁头元件与存储介质之间的距离具有特定相关性。因此,在进行研磨的过程中,可以基于来自磁头元件的输出来估计磁头元件与存储介质之间的距离。以这种方式可以高精度地掌握研磨量。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社,未经富士通株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710154067.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。