[发明专利]处理气体供给机构、供给方法及气体处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及处理气体供给机构及处理气体供给方法、以及具备这种处理气体供给机构的气体处理装置，其按照对收容在处理容器内的平板显示器(FPD)用的玻璃基板等被处理体实施规定的处理的方式向处理容器内供给处理气体。

背景技术

在FPD的制造工艺过程中，为了对作为被处理体的FPD用的玻璃基板实施蚀刻处理或成膜处理等规定的处理而使用着等离子体蚀刻装置或等离子体CVD成膜装置等的等离子体处理装置。在等离子体处理装置中，一般情况下，玻璃基板是在被载置在处理容器内的载置台上的状态下，通过在向处理容器内供给处理气体的同时产生高频电场而生成的处理气体的等离子体而进行处理的。

向处理容器内供给处理气体通常是经由一端与处理气体供给源连接、另一端与处理容器连接着的配管等流路，并且在通过质量流量控制器等流量调整机构调整流量的同时所进行的(例如参照专利文献1)。

但是，近来，FPD朝着大型化的方向发展，甚至也出现了一边超过2m的巨大玻璃基板，处理容器也随之变大，因此，如果使用所述现有技术的处理气体供给方式，则从开始供给处理气体至处理容器内的压力达到设定压力则需要很长的时间，于是就会出现总处理能力下降的问题。

【专利文献1】日本特开2002-313898号公报

发明内容

本发明就是鉴于上述情况而产生的，其目的在于提供能够在短时间内供给使得处理容器内变成设定压力的处理气体的处理气体供给机构以及处理气体供给方法、具备这样的处理气体供给机构的气体处理装置、以及存储着用于实施这种处理气体供给方法的控制程序的计算机可读取的存储介质。

为了解决上述课题，在本发明的第一观点中提供一种处理气体供给机构，其特征在于，该处理气体供给机构按照对收容在处理容器内的被处理体实施规定处理的方式向上述处理容器内供给处理气体，并且该处理气体供给机构包括：用于向上述处理容器内供给处理气体的处理气体供给源；用于暂时贮存来自上述处理气体供给源的处理气体的处理气体罐；和将来自上述处理气体供给源的处理气体供给上述处理气体罐，并将上述处理气体罐内的处理气体供给上述处理容器内的处理气体流通部件，并且，处理气体从上述处理气体供给源被暂时贮存在上述处理气体罐中，并从上述处理气体罐向上述处理容器内供给。

另外，在本发明的第二观点中提供一种气体处理装置，其特征在于，包括：收容被处理体的处理容器；向上述处理容器内供给处理气体的处理气体供给机构；以及对上述处理容器内进行排气的排气单元，并且，在将被处理体收容在上述处理容器内的状态下，利用上述排气单元进行排气，同时利用上述处理气体供给机构供给处理气体，对被处理体实施规定处理，上述处理气体供给机构包括：用于向上述处理容器内供给处理气体的处理气体供给源；用于暂时贮存来自上述处理气体供给源的处理气体的处理气体罐；和将来自上述处理气体供给源的处理气体供给上述处理气体罐，并将上述处理气体罐内的处理气体供给上述处理容器内的处理气体流通部件，且，处理气体从上述处理气体供给源被暂时贮存在上述处理气体罐中，并从上述处理气体罐向上述处理容器内供给。

在本发明的第二观点中，有一种优选实施方式，上述处理气体流通部件包括：与上述处理气体供给源以及上述处理容器连接着的第一处理气体流路；以及从上述第一处理气体流路分支并与上述处理气体罐连接着的第二处理气体流路，上述处理气体供给机构也从上述处理气体供给源向上述处理容器内供给处理气体。

在这种情况下，有另一种优选实施方式，设置有多个上述处理气体罐，并且，与上述处理气体罐的数量对应而设置有多个上述第二处理气体流路，上述各第二处理气体流路分别具有用于将处理气体送入上述处理气体罐的送入流路；以及用于将处理气体从上述处理气体罐送出的送出流路。在这种情况下，还优选，包括控制上述处理气体供给机构的控制部，上述控制部进行如下控制：使处理气体从上述多个处理气体罐的一部分通过上述送出流路向上述处理容器内供给，同时使处理气体从上述处理气体供给源通过上述送入流路贮存在上述多个处理气体罐的剩余的一部分或全部中。