[发明专利]集成电路模拟方法与系统、静态随机存取存储器设计方法

权利要求书

1.一种集成电路模拟方法，包括：

提供一电路模拟器；

使用一产生随机数值的方法产生一电路的一组电路参数，其中上述产生随机数值的方法反应出多个测量到的电路参数的一统计分布；以及

通过将上述电路参数组分配至上述电路模拟器产生上述电路的一目标功效参数。

2.如权利要求1所述的集成电路模拟方法，还包括重复产生上述电路参数组与产生上述目标功效参数的步骤，其中各电路参数组由上述产生随机数值的方法随机产生。

3.如权利要求1所述的集成电路模拟方法，其中产生上述电路参数组的步骤由包括一程序变量产生器的多个产生器执行。

4.如权利要求1所述的集成电路模拟方法，其中产生上述电路参数组的步骤由包括一应力产生器的多个产生器执行，并且其中上述应力产生器产生反应出在执行负偏压热不稳定应力之后上述电路参数组的统计分布的数据。

5.如权利要求1所述的集成电路模拟方法，其中上述电路包括一静态随机存取存储器单元，并且其中上述目标功效参数选自大体包括一读取电压、一写入电压、一操作电压以及其组合的一群组。

6.如权利要求1所述的集成电路模拟方法，其中产生上述电路参数组的步骤由包括一功效参数分布产生器的多个产生器执行，并且其中上述功效参数分布产生器产生反应出一功效参数的一统计分布数据。

7.一种静态随机存取存储器的设计方法，适用于最佳化上述静态随机存取存储器的操作电压功效，上述静态随机存取存储器的设计方法包括：

提供一电路模拟器；

提供一程序变量产生器，用以使用一随机技术产生包括多个静态随机存取存储器单元的一电路的多个程序参数的一第一统计分布；

提供一功效参数分布产生器，用以使用上述随机技术产生上述电路的一功效参数的一第二统计分布；以及

使用上述第一统计分布与上述第二统计分布产生上述电路的多个读取电压与多个写入电压的一应力前统计分布。

8.如权利要求7所述的静态随机存取存储器的设计方法，还包括：

提供一负偏压热不稳定应力产生器，其中上述负偏压热不稳定应力产生器产生在一应力条件下上述功效参数的一第三统计分布；以及

使用上述第一统计分布、上述第二统计分布与上述第三统计分布产生上述电路的上述读取电压与上述写入电压的一应力后统计分布。

9.如权利要求8所述的静态随机存取存储器的设计方法，还包括形成上述电路，其中上述电路的上述静态随机存取存储器单元具有大于上述读取电压的上述写入电压。

10.如权利要求8所述的静态随机存取存储器的设计方法，其中产生上述第二统计分布与产生上述第三统计分布的步骤包括从一晶片上的多个晶粒测量上述读取电压与上述写入电压。

11.如权利要求8所述的静态随机存取存储器的设计方法，还包括：

比较上述应力前统计分布与上述应力后统计分布；以及

调整上述电路中上述静态随机存取存储器单元的多个阿尔法比值，以降低一操作电压漂移量。

12.一种模拟系统，适用于模拟集成电路，上述模拟系统包括：

一程序变量产生器，产生一程序参数的一统计分布；以及

一电路模拟器，接收从上述程序参数的上述统计分布撷取的多个电路参数，并用以产生一目标功效参数的一统计分布。

13.如权利要求12所述的模拟系统，还包括：

一功效参数分布产生器，产生上述目标功效参数的一第一统计分布；以及

一应力产生器，在一应力条件下产生上述目标功效参数的一第二统计分布，其中上述电路模拟器接收上述第一统计分布与上述第二统计分布。

14.如权利要求12所述的模拟系统，其中上述程序变量产生器使用一随机技术产生上述程序参数的上述统计分布。

15.如权利要求12所述的模拟系统，其中上述程序参数的上述统计分布反应出上述程序参数测量自多个晶片的一测量统计分布。