[发明专利]一种利用沸石层调控大孔载体制备钯-沸石复合膜的方法无效
申请号: | 200710159082.4 | 申请日: | 2007-12-18 |
公开(公告)号: | CN101274223A | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
发明(设计)人: | 张雄福;郭宇;邹红叶;邱芳锐;刘海鸥;鲁金明;王金渠 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | B01D71/02 | 分类号: | B01D71/02;B01D69/12 |
代理公司: | 大连理工大学专利中心 | 代理人: | 侯明远 |
地址: | 116024辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 利用 沸石层 调控 载体 制备 复合 方法 | ||
1.一种利用沸石层调控大孔载体制备钯-沸石复合膜的方法,其特征在于利用沸石生长形成沸石层修饰大孔载体的孔径和表面,获得含沸石层的载体;或引入钯晶种,获得含钯晶种沸石层的载体,然后利用化学镀原理在含沸石层的载体或含钯晶种沸石层的载体上制备钯-沸石复合膜。
2.根据权利要求1所述的一种利用沸石层调控大孔载体制备钯-沸石复合膜的方法,其特征在于所用大孔载体是孔径为1~10μm的多孔管式陶瓷或不锈钢。
3.根据权利要求1或2所述的一种利用沸石层调控大孔载体制备钯-沸石复合膜的方法,其基本步骤包括如下:
(1)按照SiO2∶TPAOH∶H2O=(80~200)∶(10~100)∶(1000~4000)的摩尔比配料,制备大小为100~300nm的纯硅沸石晶种;
(2)按照沸石晶种∶H2O=(1~10)∶(50~150)的质量比配制纯硅沸石晶种悬浮液,提拉法引入沸石晶种,提拉时间为20~240秒;
(3)按照SiO2∶TPAOH∶H2O=(50~200)∶(10~100)∶(20000~70000)的摩尔比配制沸石层合成液,在含沸石晶种的载体上,在120~200℃下沸石生长3~24小时形成含有沸石层的载体;500℃焙烧4~12小时得到含沸石层的载体;
(4)在含沸石层载体上敏化、活化引入钯晶种,敏化液组成为:1~8g/L的SnCl2,37%的盐酸1~5ml/L;活化液组成为:0.1~0.4g/L的PdCl2,37%的盐酸1~5ml/L;
(5)在含钯晶种的沸石层载体上进行化学镀制备致密钯复合膜;镀液组成为3~5g/L的PdCl2,20~60g/L的EDTA·2Na,质量浓度为28%的NH3·H2O 80~150ml/L,摩尔浓度为1M的N2H4 8~25ml/L,镀膜温度为30~80℃,PH值为9~12.5,镀膜时间为1~5小时。
4.根据权利要求1或2所述的一种利用沸石层调控大孔载体制备钯-沸石复合膜的方法,其基本步骤包括如下:
(1)按照SiO2∶TPAOH∶H2O=(80~200)∶(10~100)∶(1000~4000)的摩尔比配料,制备大小为100~300nm的纯硅沸石晶种;
(2)按照Pd(II)盐∶沸石晶种∶H2O∶PVA=(0.1~5)∶(1~10)∶(50~150)∶(10~50)的质量比配制含钯沸石晶种悬浮液,提拉法引入含钯沸石晶种,提拉时间为50~600秒;
(3)按照SiO2∶TPAOH∶H2O=(50~200)∶(10~100)∶(20000~70000)的摩尔比配制沸石层合成液,在含钯沸石晶种的载体上,在120~200℃下沸石生长3~24小时形成含有钯沸石层的载体;500℃焙烧4~12小时得到含钯沸石层的载体;在氢气气氛、温度为250℃~400℃下还原活化为2~5小时,得到含钯晶种的沸石层载体;
(4)在含钯晶种的沸石层载体上进行化学镀制备致密钯复合膜,镀液组成为3~5g/L的PdCl2,20~60g/L的EDTA·2Na,质量浓度为28%的NH3·H2O 80~150ml/L,摩尔浓度为1M的N2H4 8~25ml/L,镀膜温度为30~80℃,PH值为9~12.5,镀膜时间为1~5小时。
5.根据权利要求1或2所述的一种利用沸石层调控大孔载体制备钯-沸石复合膜的方法,其特征所用的沸石是A型沸石、MFI型沸石、八面沸石或β沸石。
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