[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200710159921.2 | 申请日： | 2007-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN101207156A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 冈本悟;关口庆一 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，包括：
岛状半导体膜，所述岛状半导体膜包括：
沟道形成区；
包括硅化物层的高浓度杂质区；
在所述沟道形成区和所述高浓度杂质区之间的第一低浓度杂质区；以及
在所述第一低浓度杂质区和所述高浓度杂质区之间的第二低浓度杂质区；
在所述沟道形成区、所述第一低浓度杂质区以及所述第二低浓度杂质区上的栅绝缘膜；
中间夹着所述栅绝缘膜与所述沟道形成区以及所述第一低浓度杂质区重叠的第一栅电极；
在所述第一栅电极上的第二栅电极，所述第二栅电极中间夹着所述栅绝缘膜和所述第一栅电极与所述沟道形成区重叠；以及
形成在所述第一栅电极以及所述第二栅电极的侧面的侧壁，
其中，在所述第二低浓度杂质区上的所述栅绝缘膜的膜厚度薄于在所述沟道形成区和所述第一低浓度杂质区上的所述栅绝缘膜的膜厚度，
并且，所述第二低浓度杂质区的杂质浓度的峰值位于所述岛状半导体膜内的下层或者所述岛状半导体膜下。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述硅化物层包括选自镍、钛、钴和铂中的元素或者这些元素中的至少两种。
3.一种半导体装置，包括：
岛状半导体膜，所述岛状半导体膜包括：
沟道形成区；
高浓度杂质区；以及
在所述沟道形成区和所述高浓度杂质区之间的低浓度杂质区；
在所述沟道形成区以及所述低浓度杂质区上的栅绝缘膜；
中间夹着所述栅绝缘膜与所述沟道形成区重叠的栅电极；以及形成在所述栅电极的侧面的侧壁，
其中，在所述低浓度杂质区上的所述栅绝缘膜的膜厚度薄于在所述沟道形成区上的所述栅绝缘膜的膜厚度，
并且，所述低浓度杂质区的杂质浓度的峰值位于所述岛状半导体膜内的下层或者所述岛状半导体膜下。
4.一种半导体装置，包括：
岛状半导体膜，所述岛状半导体膜包括：
沟道形成区；
包括硅化物层的高浓度杂质区；以及
在所述沟道形成区和所述高浓度杂质区之间的低浓度杂质区；
在所述沟道形成区以及所述低浓度杂质区上的栅绝缘膜；
中间夹着所述栅绝缘膜与所述沟道形成区重叠的栅电极；以及形成在所述栅电极的侧面的侧壁，
其中，在所述低浓度杂质区上的所述栅绝缘膜的膜厚度薄于在所述沟道形成区上的所述栅绝缘膜的膜厚度，
并且，所述低浓度杂质区的杂质浓度的峰值位于所述岛状半导体膜内的下层或者所述岛状半导体膜下。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述硅化物层包括选自镍、钛、钴和铂中的元素或者这些元素中的至少两种。
6.一种半导体装置，包括：
岛状半导体膜，所述岛状半导体膜包括：
沟道形成区；
高浓度杂质区；
在所述沟道形成区和所述高浓度杂质区之间的第一低浓度杂质区；以及
在所述第一低浓度杂质区和所述高浓度杂质区之间的第二低浓度杂质区；
在所述沟道形成区、所述第一低浓度杂质区以及所述第二低浓度杂质区上的栅绝缘膜；
在所述栅绝缘膜上的第一栅电极，所述第一栅电极中间夹着所述栅绝缘膜与所述沟道形成区以及所述第一低浓度杂质区重叠的第一栅电极；
中间夹着所述栅绝缘膜和所述第一栅电极与所述沟道形成区重叠的所述第二栅电极；以及
形成在所述第一栅电极以及所述第二栅电极的侧面的侧壁，
其中，在所述第二低浓度杂质区上的所述栅绝缘膜的膜厚度薄于在所述沟道形成区和所述第一低浓度杂质区上的所述栅绝缘膜的膜厚度，
并且，所述第二低浓度杂质区的杂质浓度的峰值位于所述岛状半导体膜内的下层或者所述岛状半导体膜下。
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