[发明专利]低聚物探针阵列芯片、用于制造其的掩模以及使用其的杂交分析方法无效
申请号: | 200710159943.9 | 申请日: | 2007-12-20 |
公开(公告)号: | CN101206216A | 公开(公告)日: | 2008-06-25 |
发明(设计)人: | 夏政焕;池圣敏;金京善;金媛善;赵汉九 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G01N33/48 | 分类号: | G01N33/48;G01N21/00;C12Q1/68 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 黄启行;穆德骏 |
地址: | 韩国京畿道水*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 物探 阵列 芯片 用于 制造 以及 使用 杂交 分析 方法 | ||
1.一种低聚物探针阵列芯片,包括:
基底;
位于基底上的主阵列,该主阵列包括多个排列成行的子阵列,并且每个所述子阵列都包括多个成矩阵形式的点;以及
多个低聚物探针,每个低聚物探针具有唯一序列并且连接于所述多个点中的一相应点。
2.根据权利要求1所述的低聚物探针阵列芯片,还包括:
在每个所述子阵列外部的所述基底上的多个子阵列排列点阵列。
3.根据权利要求2所述的低聚物探针阵列芯片,其中,
每个所述子阵列的宽度小于用于扫描所述低聚物探针阵列芯片的电荷耦合器件(CCD)扫描仪的单位像素间距和宽度方向上CCD像素的数量的乘积。
4.根据权利要求3所述的低聚物探针阵列芯片,其中
CCD扫描仪是时间延迟积分(TDI)型扫描仪。
5.根据权利要求2所述的低聚物探针阵列芯片,还包括:
与所述多个子阵列排列点阵列分隔开的多个整体排列点阵列。
6.根据权利要求2所述的低聚物探针阵列芯片,其中
所述子阵列彼此通过空间被间隔开。
7.根据权利要求1所述的低聚物探针阵列芯片,其中
每个所述子阵列通过十字形空间被彼此间隔开,以形成多个子阵列面板。
8.根据权利要求7所述的低聚物探针阵列芯片,其中
在x-轴方向上每个所述子阵列面板的第一宽度小于用于在该x-轴方向上扫描该低聚物探针阵列芯片的电荷耦合器件(CCD)的单位像素间距与该x-轴方向上的CCD像素的数量的乘积,并且在y-轴方向上的每个所述子阵列面板的第二宽度小于在该y-轴方向上的所述CCD的单位像素间距与该y-轴方向上的CCD像素的数量的乘积。
9.根据权利要求8所述的低聚物探针阵列芯片,其中
所述CCD扫描仪是步进重复型扫描仪。
10.根据权利要求7所述的低聚物探针阵列芯片,还包括:
位于所述主阵列外部的多个整体排列点阵列。
11.一种用于形成低聚物探针阵列芯片的掩模,该掩模包括:
包括有排列成行的多个子阵列图形的主阵列图形,每个所述子阵列图形包括以矩阵形式的多个点图形;以及
在每个所述子阵列图形外部的基底上的多个子阵列图形排列点阵列图形。
12.根据权利要求11所述的掩模,其中
每个所述子阵列图形的宽度小于用于扫描所述低聚物探针阵列芯片的电荷耦合器件(CCD)扫描仪的单位像素间距与宽度方向上的CCD像素的数量的乘积。
13.根据权利要求12所述的掩模,其中CCD扫描仪是时间延迟积分(TDI)型扫描仪。
14.根据权利要求11所述的掩模,还包括:
与所述排列点阵列图形分隔开的整体排列点阵列图形。
15.根据权利要求11所述的掩模,其中
每个所述子阵列图形彼此通过空间被间隔开。
16.根据权利要求15所述的掩模,其中
每个所述子阵列图形通过十字形空间被彼此间隔开,以形成多个子阵列图形面板。
17.根据权利要求16所述的掩模,其中在x-轴方向上的每个所述子阵列图形面板的第一宽度小于在该x-轴方向上的用于扫描所述低聚物探针阵列芯片的电荷耦合器件(CCD)扫描仪的单位像素间距与该x-轴方向上的CCD像素的数量的乘积,并且在y-轴方向上的每个所述子阵列面板的第二宽度小于在该y-轴方向上CCD扫描仪的单位像素间距与y-轴方向上CCD像素的数量的乘积。
18.根据权利要求17所述的掩模,其中所述CCD扫描仪是步进重复型扫描仪。
19.根据权利要求16所述的掩模,还包括:
位于所述主阵列图形外部的多个整体排列点阵列图形。
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