[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，该方法包括以下步骤：

提供一基底，该基底包括一数组区及一周边区，且该数组区中包括多个第一栅极堆栈，而该周边区中包括一低电压组件的第二栅极堆栈及一高电压组件的第三栅极堆栈；

形成一第一介电层覆盖于所述第一栅极堆栈、该第二栅极堆栈、及该第三栅极堆栈的上方及侧壁；

沉积一第二介电层于该第一介电层上；

移除位于所述第一栅极堆栈及该第二栅极堆栈上的该第二介电层，而留下该第三栅极堆栈上的该第二介电层；

再次沉积该第二介电层于所述第一栅极堆栈、该第二栅极堆栈、及该第三栅极堆栈上；

回蚀刻所述第一栅极堆栈、该第二栅极堆栈、及该第三栅极堆栈上的该第二介电层，以露出所述第一栅极堆栈、该第二栅极堆栈、及该第三栅极堆栈上的顶部部分的该第一介电层；

移除该数组区中的该第二介电层以露出该第一介电层；以及

回蚀刻该第一介电层以露出所述第一栅极堆栈、该第二栅极堆栈、及该第三栅极堆栈的上表面，而于所述第一栅极堆栈、该第二栅极堆栈、及该第三栅极堆栈的侧壁分别形成一第一间隙壁、一第二间隙壁、及一第三间隙壁；

其中该第三间隙壁的厚度大于该第二间隙壁，而该第二间隙壁的厚度大于该第一间隙壁。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中该第一介电层及该第二介电层的材质选自下列的相异材料，包括氧化硅、氮化硅、或氮氧化硅。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中在移除位于所述第一栅极堆栈及该第二栅极堆栈上的该第二介电层之前，还包括先形成一第一光阻层以保护该第三栅极堆栈。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中在移除该数组区中的该第二介电层以露出该第一介电层之前还包括先形成一第二光阻层以保护该第二栅极堆栈及该第三栅极堆栈。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中该第一介电层的回蚀刻将该第二间隙壁及该第三间隙壁中的该第一介电层蚀刻成L型。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，还包括以该第一间隙壁、该第二间隙壁、或该第三间隙壁为掩模而对该基底进行一离子植入工艺以形成至少一源极/漏极区。