[发明专利]液晶显示装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种液晶显示装置及其制造方法，尤其涉及一种具有改善的耦合效应的液晶显示装置以及用五道光刻蚀刻工艺制作的方法。

背景技术

由于液晶显示器(Liquid-Crystal Display，LCD)具有体积小、辐射低等优点，所以液晶显示器已成为市场上最常见的显示器。

请参考图1，图1为公知的液晶显示器的像素结构俯视图。如图1所示，公知的液晶显示器的像素结构10由两个相邻的数据线12与个两相邻的扫描线14所定义。各像素结构10包括薄膜晶体管18、像素电极20以及共用电极22。请再参考图2，并且参考图1。图2是图1的液晶显示器沿着AA’线的剖面示意图，即为沿着数据线12剖面方向的剖面示意图，其中图2中示出了两个相邻的像素结构10的剖面示意图。如图2所示，公知的液晶显示器包括第一衬底24、第二衬底32以及设置在第一衬底24与第二衬底32之间的液晶层34。第一衬底24上依次包括共用电极22、覆盖在共用电极22与第一衬底24上的栅极绝缘层26、设置在栅极绝缘层26上的数据线12、覆盖在数据线12和栅极绝缘层26上的保护层30，以及设置在保护层30上的像素电极20。第二衬底32包括黑色矩阵36，其设置在面对于第一衬底24的侧边。

对于各像素结构10而言，共用电极22与位于其上方的像素电极20构成储存电容。另外，由于数据线12的两侧是漏光区，因此共用电极22除了作为储存电容的下电极之外，还与第二衬底32上对应于数据线12的黑色矩阵36共同发挥遮蔽数据线12两侧的漏光区的作用。然而由于数据线12与像素电极20两者之间会有耦合效应(Cpd，capacitance between pixel and data line)，因此，若要避免像素电极20与数据线12间的耦合效应，就必须加大两者间的距离，但随着距离的增加，意味着数据线12两侧的漏光区将更为扩大，因而必须加大共用电极20与黑色矩阵36的宽度来遮蔽此漏光区。如此，将会影响开口率，特别是由于黑色矩阵36是设置在第二衬底32上，考虑到第一衬底24与第二衬底32的对位误差，黑色矩阵36的宽度在设计上必须考虑此误差而必须进步加宽，因而会导致像素结构的开口率的缩小。因此，如何在不影响开口率的前提下，减少像素电极与数据线间的耦合效应，已成为业界极力改善的课题。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种液晶显示装置及用五道光刻蚀刻工艺制造的方法，以改善公知技术的像素电极和数据线之间产生的耦合效应，并且提高液晶显示装置的开口率。

为实现上述目的，本发明提供一种液晶显示装置，其包括：衬底、设置在该衬底上的第一导电层、覆盖该第一导电层的栅极绝缘层、设置在该栅极绝缘层上的第二导电层、覆盖该第二导电层的保护层、设置在该保护层上的像素电极以及设置在该保护层上的连接导线。该第一导电层包括第一次数据线和栅极线，并且该第二导电层包括源极和不透明的共用电极，其中将该共用电极设置为对应于该第一次数据线。其中，源极的宽度大于栅极线的宽度。

为实现上述目的，本发明进一步提供一种液晶显示装置，其包括：衬底、设置在该衬底上的第一导电层、覆盖该第一导电层的栅极绝缘层、设置在该栅极绝缘层上的第二导电层、覆盖该第二导电层的保护层、设置在该保护层上的像素电极以及设置在该保护层上的连接导线。该第一导电层包括第一次数据线和栅极线，并且该第二导电层包括源极和不透明的共用电极，其中该像素电极部分地与该共用电极重叠。其中，源极的宽度大于栅极线的宽度。

为实现上述目的，本发明进一步提供一种制作液晶显示装置的方法，包括：提供衬底；进行第一光刻蚀刻工艺，在该衬底上形成第一次数据线、第二次数据线和栅极线；形成栅极绝缘层以覆盖该衬底；进行第二光刻蚀刻工艺，在该栅极绝缘层上形成半导体层；进行第三光刻蚀刻工艺，在该栅极绝缘层上形成源极、漏极和不透明的共用电极；形成保护层，以覆盖该衬底；进行第四光刻蚀刻工艺，在该保护层上形成第一穿孔与第二穿孔；以及，进行第五光刻蚀刻工艺，是该保护层上形成像素电极和连接导线。

本发明通过将数据线设置在第一导电层，进而加大数据线和像素电极之间的距离，并且将共用电极设置在第二导电层作为屏蔽，以降低数据线和像素电极之间的耦合效应，因而可以缩减各像素电极之间的距离，使液晶显示装置的开口率增加。本发明还提供只需五道光刻蚀刻工艺的步骤，以完成具有改善耦合效应的液晶显示装置。

附图说明

图1是公知的液晶显示器的像素结构的俯视图。

图2是图1的液晶显示器沿着AA’线的剖面示意图。