[发明专利]基底可被重复使用的结构及其处理方法

权利要求书

1、一种基底可被重复使用的结构，所述结构包括：

基底；

至少一层外延层，在所述基底上结晶成长，在所述外延层上形成有至少一个图案；

至少一层分离层，置于所述基底与所述外延层之间，且提供一种分离方式以使所述分离层发生反应而分解，使得所述基底与所述外延层分离。

2、根据权利要求1所述的基底可被重复使用的结构，其中，所述分离方式至少包括蚀刻溶剂和反应光线等方法。

3、根据权利要求2所述的基底可被重复使用的结构，其中，所述反应光线为激光。

4、根据权利要求2所述的基底可被重复使用的结构，其中，所述反应光线提供所述分离层发生反应而分解所需的能量。

5、根据权利要求2所述的基底可被重复使用的结构，其中，所述蚀刻溶剂包括酸性溶剂或碱性溶剂等。

6、根据权利要求1所述的基底可被重复使用的结构，其中，所述基底还包括至少一层外延层。

7、根据权利要求1所述的基底可被重复使用的结构，其中，所述分离层的材料不同于所述基底的材料和所述外延层的材料，并作为分离界面。

8、根据权利要求5所述的基底可被重复使用的结构，其中，所述酸性溶剂至少包含硫酸、盐酸、氢氟酸、氢氰酸、硝酸、醋酸、磷酸或它们的混合物等。

9、根据权利要求5所述的基底可被重复使用的结构，其中，所述碱性溶剂至少包含氨水、氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化钙、氢氧化钡或它们的混合物等。

10、根据权利要求8所述的基底可被重复使用的结构，其中，盐酸系列与GaInP发生化学反应。

11、根据权利要求9所述的基底可被重复使用的结构，其中，氨水与GaAs发生化学反应。

12、根据权利要求1所述的基底可被重复使用的结构，其中，所述基底至少包括蓝宝石基底、砷化镓基底、碳化硅基底或硅基底等。

13、根据权利要求1所述的基底可被重复使用的结构，其中，所述图案为集成电路。

14、根据权利要求1所述的基底可被重复使用的结构，其中，所述外延层至少包含周期表内第IIA族、第IIB族、第IIIA族、第IVA族、第VA族和第VIA族等元素或它们的化合物和混合物。

15、根据权利要求1所述的基底可被重复使用的结构，其中，所述分离层至少包含Al_xGa_yIn_zP、Al_xGa_yAs_zP_v、Al_xGa_yIn_zN、Al_xGa_yIn_zSb或Si_xGe_yC_z等。

16、一种基底可被重复使用的结构的处理方法，所述方法包括如下步骤：

提供基底；

通过沉积在所述基底上形成至少一层分离层；

在所述分离层上形成至少一层外延层，并在外延层上形成至少一个集成电路；

提供一种切割方式，所述切割方式沿着所述外延层上的集成电路与另一集成电路之间的间隔宽度进行切割，并切割至所述分离层，以形成切割口；

提供蚀刻溶剂，所述蚀刻溶剂沿着所述切割口与对应于所述分离层的接触区域迅速发生反应而使所述分离层分解。

17、根据权利要求16所述的方法，其中，所述切割方式包括钻石切割针、激光束或溶液蚀刻等。