[发明专利]基底可被重复使用的结构及其处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种基底可被重复使用的结构及其处理方法，具体地讲，涉及一种利用分离方式使对应于外延层与基底之间的分离层发生反应而分解以达到基底重复使用的结构及其处理方法。

背景技术

公知的半导体晶片制造技术是指在硅晶片上制作各种集成电路的技术，包括黄光、蚀刻、电镀、形成薄膜、化学机械研磨(chemical mechanicalpolishing，CMP)和离子注入等技术。例如，黄光光刻技术用于进行图像转印，电镀技术用于电镀金属，离子干蚀刻用于进行各向异性蚀刻，化学湿蚀刻特性用在多方向性蚀刻方面，形成金属薄膜和非金属薄膜的成长及涂布等。

简而言之，半导体工艺就是利用各种显微图像转印技术并结合各种蚀刻、薄膜的成长和涂布、电镀等各种物理技术和化学技术，在基底上对金属和非金属材质进行加工的技术。在半导体工艺完成之后，将制成的集成电路或元件与基底一起切割下来，以进行另外的组装。

近年来利用半导体工艺而发展起来的各种微机电技术，就是利用各种显微加工技术在工艺基底上制作各种微结构、感测元件、光电元件等各种微机械及微机电元件的技术，其中，工艺基底的体积占整个元件的体积的大约80％以上。

因此，为了使基底变薄而对工艺基底进行化学机械研磨(CMP)，其中，CMP工艺是在基底与研磨垫中加入研磨液，研磨液中的研磨颗粒将会损坏基底的表面，使材质不再坚固而增大化学或物理的破坏，或者使基底表面破裂为碎片，从而使基底的表面被分解在研磨液中并被带走。这样的破坏也使得基底无法被重复使用。

以发光二极管为例，在其生产过程中占材料成本比重较高的材料为基底、有机金属、特殊气体、环氧树脂和荧光粉。发光二极管使用主要功能为载体的基底。

目前，光电元件常用的基底有GaAs基底、GaP基底、蓝宝石(sapphire)基底和碳化硅(SiC)基底，其中，GaP基底主要应用于GaP、GaAsP等二元或三元发光二极管或光电元件等，GaAs基底主要应用于AlGaAs、GaAsP、AlGaInP等三元或四元发光二极管或光电元件，蓝宝石基底和碳化硅基底主要应用于氮化铟镓系发光二极管或光电元件。对发光二极管基底的选用影响发光二极管的发光亮度、发光效率和使用寿命等产品特性，因此，厂商需要特别谨慎地选择基底。就所使用的基底的种类来分析，由于碳化硅基底单价高，所以在氮化镓系发光二极管的生产上，以蓝宝石基底的应用较为普遍。

然而，任何一种基底材料的价格仍然十分昂贵，而在现今的技术工艺中，基底仍属于一种消耗品。如何能使基底被重复使用而达到降低成本的目的，是本领域亟待解决的问题，一旦其成本降低，所能应用的层面也就更为广泛。

鉴于公知工艺的各种问题，为了能够兼顾解决这些问题，本发明提出了一种基底可被重复使用的结构及其处理方法，以克服上述缺点。

发明内容

为此，本发明的目的在于提供一种基底可被重复使用的结构及其处理方法，以达到基底的重复使用和降低成本的效果。

根据本发明的目的，提供一种基底可被重复使用的结构，所述结构包括基底、至少一层外延层和至少一层分离层。外延层在基底上结晶成长，在外延层上形成有至少一个图案，分离层置于基底与外延层之间，并提供一种分离方式使对应的分离层发生反应而分解，使得基底与外延层中的一层分离。

此外，本发明还提供一种基底可被重复使用的结构及其处理方法。该方法包括下列步骤：提供基底；通过沉积在基底上形成至少一层分离层；在分离层上形成至少一层外延层，并在外延层上形成至少一个图案；提供一种切割方式，所述切割方式沿着外延层上的图案与另一图案之间的间隔宽度进行切割，并切割至所述分离层，以形成切割口；提供蚀刻溶剂，所述蚀刻溶剂沿着切割口与对应于分离层的接触区域迅速发生反应而使分离层分解。通过该方法，可以实现使外延层与基底迅速分离而缩短工艺时间的效果。

为了使本发明的技术特征和所达到的技术效果更加明了，下面结合优选实施例进行说明。

附图说明

图1是根据本发明的基底可被重复使用的结构的示图；

图2是根据本发明的基底可被重复使用的结构的第一实施例的示图；

图3是根据本发明的基底可被重复使用的结构的第二实施例的示图；

图4A和图4B是根据本发明的基底可被重复使用的结构的第三实施例的示图；

图5是根据本发明的基底可被重复使用的结构的处理方法的步骤流程图。

具体实施方式

以下，将参照附图说明根据本发明优选实施例的基底可被重复使用的结构及其处理方法。为便于理解，在下面的实施例中，用相同的标号来表示相同的元件。