[发明专利]栅氧化膜的制造方法

权利要求书

1.一种栅氧化膜的制造方法，包括如下步骤：

(a)制备半导体衬底；

(b)在半导体衬底的一个主表面上形成具有第一和第二元件口的场绝缘膜；

(c)通过第一热氧化工艺在第一和第二元件口内的半导体表面上分别形成第一和第二牺牲氧化膜；

(d)在场绝缘膜上形成抗蚀剂层，该抗蚀剂层暴露出第一元件口且覆盖第二元件口；

(e)在20至50keV的加速电压和1×10¹⁴至2×10¹⁶ions/cm²的剂量的条件下，用抗蚀剂层作掩模，通过将氩离子经由第一牺牲氧化膜注入到第一元件口内的半导体部分中形成离子注入层；

(f)在形成离子注入层之后除去抗蚀剂层；

(g)在除去抗蚀剂层之后除去第一和第二牺牲氧化膜；以及

(h)在除去第一和第二牺牲氧化膜之后，通过第二热工艺在第一和第二元件口中的半导体表面上分别形成第一和第二栅氧化膜，其中由于基于离子注入层的加速氧化，使第一栅氧化膜形成得比第二栅氧化膜厚。

2.一种栅氧化膜的制造方法，包括如下步骤：

(a)制备半导体衬底；

(b)在半导体衬底的一个主表面上形成具有第一和第二元件口的场绝缘膜；

(c)通过第一热氧化工艺在第一和第二元件口内的半导体表面上分别形成第一和第二牺牲氧化膜；

(d)在场绝缘膜上形成抗蚀剂层，该抗蚀剂层暴露出第一元件口且覆盖的第二元件口；

(e)在15至25keV的加速电压和6×10¹⁴至1×10¹⁵ions/cm²的剂量的条件下，用抗蚀剂层作掩模，通过将氟离子经由第一牺牲氧化膜注入到第一元件口内的半导体部分中形成离子注入层；

(f)在形成离子注入层之后除去抗蚀剂层；

(g)在除去抗蚀剂层之后除去第一和第二牺牲氧化膜；以及

(h)在除去第一和第二牺牲氧化膜之后，通过第二热工艺在第一和第二元件口中的半导体表面上分别形成第一和第二栅氧化膜，其中由于基于离子注入层的加速氧化，使第一栅氧化膜形成得比第二栅氧化膜厚。

3.一种栅氧化膜的制造方法，包括如下步骤：

(a)制备半导体衬底；

(b)在半导体衬底的一个主表面上形成具有第一和第二元件口的场绝缘膜；

(c)通过第一热氧化工艺在第一和第二元件口内的半导体表面上分别形成第一和第二栅氧化膜；

(d)在场绝缘膜上形成抗蚀剂层，该抗蚀剂层暴露出第一元件口且覆盖第二元件口；

(e)用抗蚀剂层作掩模，通过将增加氧化速度但不限定导电类型的杂质离子经由第一栅氧化膜注入到第一元件口内的半导体部分，来形成离子注入层；

(f)在形成离子注入层之后除去抗蚀剂层；

(g)在除去抗蚀剂层之后，通过蚀刻工艺减薄第一和第二栅氧化膜；以及

(h)在减薄第一和第二栅氧化膜之后，通过第二热工艺加厚第一和第二栅氧化膜，其中由于基于离子注入层的加速氧化，使第一栅氧化膜变得比第二栅氧化膜更厚。

4.根据权利要求3的栅氧化膜的制造方法，其中在20至50keV的加速电压和1×10¹⁴至2×10¹⁶ions/cm²的剂量的条件下，离子注入步骤(e)注入作为杂质离子的氩离子。

5.根据权利要求3的栅氧化膜的制造方法，其中在15至25keV的加速电压和6×10¹⁴至1×10¹⁵ions/cm²的剂量的条件下，离子注入步骤(e)注入作为杂质离子的氟离子。