[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在衬底上形成第一图案；

在所述第一图案上形成基于氧化物的层；

在所述基于氧化物的层上形成硬掩模层；

在第一衬底温度下蚀刻所述硬掩模层；和

蚀刻所述基于氧化物的层以形成第二图案，

其中在大于所述第一衬底温度的第二衬底温度下，使用包括氟(F)和碳(C)的气体作为主蚀刻气体来蚀刻所述基于氧化物的层。

2.权利要求1的方法，其中所述包括F和C的气体包含碳氟比(y/x比)约1.6∶1或更小的基于C_xF_y的气体，其中x和y分别表示C和F的原子比。

3.权利要求2的方法，其中所述基于C_xF_y的气体包括C₄F₆气体和C₅F₈气体中的一种。

4.权利要求2的方法，其中将氧(O₂)和氩(Ar)加入到所述基于C_xF_y的气体中，以蚀刻所述基于氧化物的层。

5.权利要求4的方法，其中所述基于C_xF_y的气体和O₂的流量为约0.5sccm～约1.3sccm。

6.权利要求1的方法，其中在约30℃～约60℃的衬底温度下蚀刻所述基于氧化物的层。

7.权利要求1的方法，其中实施自对准接触蚀刻工艺以蚀刻所述基于氧化物的层包括使用硬掩模层。

8.权利要求1的方法，其中所述第一图案包含栅极图案、位线图案、和金属线中的一种，其上部具有基于氮化物的层，并且所述第二图案包含接触孔。

9.一种制造半导体器件的方法，包括：

在衬底上形成多个栅极图案，每个栅极图案包括配置有导电层和基于氮化物的层的堆叠结构；

在所述栅极图案上形成用于绝缘的基于氧化物的层；

在所述基于氧化物的层上形成硬掩模层；

在第一衬底温度下利用光刻胶图案蚀刻所述硬掩模层；和

在第二衬底温度下，利用所述基于氧化物的层和所述基于氮化物的层之间的选择性，实施自对准接触蚀刻工艺蚀刻所述基于氧化物的层，以形成接触孔，

其中使用包括氟(F)和碳(C)的气体作为主蚀刻气体来蚀刻所述基于氧化物的层。

10.权利要求9的方法，其中所述第一衬底温度为约-60℃～约20℃，所述第二衬底温度高于所述第一衬底温度。

11.权利要求9的方法，其中所述第二衬底温度为约30℃～约60℃，所述第一衬底温度低于所述第二衬底温度。

12.权利要求9的方法，其中所述第一衬底温度为约-60℃～约20℃，所述第二衬底温度为约30℃～约60℃。

13.权利要求9的方法，其中所述包括F和C的气体包含碳氟比(y/x比)约1.6∶1或更小的基于C_xF_y的气体，其中x和y分别表示C和F的原子比。

14.权利要求13的方法，其中所述基于C_xF_y的气体包括C₄F₆气体和C₅F₈气体中的一种。

15.权利要求13的方法，其中将氧气(O₂)和氩气(Ar)加入到所述基于C_xF_y的气体中，以蚀刻所述基于氧化物的层。

16.权利要求15的方法，其中所述基于C_xF_y的气体和O₂的流量为约0.5sccm～约1.3sccm。

17.权利要求9的方法，其中所述硬掩模层包含选自氧氮化硅(SiON)层、非晶碳层、多晶硅层、有机聚合物层、无机聚合物层、基于氮化物的层及其组合中的一种。