[发明专利]具覆晶结构的发光二极管装置

权利要求书

1.一种具覆晶结构的发光二极管装置，其特征在于，至少包含：

一第一基材，为非导电性材质；

一第一导电支架及一第二导电支架，分别为不同极性；

一覆晶芯片，至少包含

一第二基材；

一N型半导体层状构造，设置于该第二基材上，且包含一第一金属层，在该第一金属层上设有一第一电极；

一发光层，设于该N型半导体层状构造上；以及

一P型半导体层状构造，设置于该发光层上，且该P型半导体层状构造包含一第二金属层，在该第二金属层上设有一第二电极，其中该发光层设于该N型半导体层状构造与该P型半导体层状构造之间；

一第一导电引脚，位于该第一电极与该第一导电支架之间，并电气地连接该第一电极与该第一导电支架，用以增加该第一电极与该第一导电支架之间的接触面积；

一第二导电引脚，位于该第二电极与该第二导电支架之间，并电气地连接该第二电极与该第二导电支架，用以增加该第二电极与该第二导电支架之间的接触面积；以及

一封装体，将该覆晶芯片包覆密封。

2.根据权利要求1所述的具覆晶结构的发光二极管装置，其特征在于，该些导电引脚的材料为一纯金属材料。

3.根据权利要求2所述的具覆晶结构的发光二极管装置，其特征在于，该纯金属材料包含金、银、铜或铝。

4.根据权利要求1所述的具覆晶结构的发光二极管装置，其特征在于，该些导电引脚的材料为一低熔点金属合金材料，该低熔点金属合金材料为在一大气压力下，熔点低于350℃的金属材料。

5.根据权利要求4所述的具覆晶结构的发光二极管装置，其特征在于，该低熔点金属合金材料包含金锡合金、锡、铋或锡铋合金。

6.根据权利要求1所述的具覆晶结构的发光二极管装置，其特征在于，该第一金属层与该第二金属层分别包含一边框以及两内联机，该边框包含四条金属线，两内联机呈十字交叉，且其端部分别与该边框的金属线电气地连接。

7.根据权利要求1所述的具覆晶结构的发光二极管装置，其特征在于，该第一金属层与该第二金属层分别包含一边框以及四内联机，该边框包含四条金属线以及一中心，各该内联机的一端电气地连接于其中一金属线，另一端朝该中心延伸。

8.根据权利要求1所述的具覆晶结构的发光二极管装置，其特征在于，该第一金属层与该第二金属层分别包含一边框以及四内联机，该边框包含四边角以及一中心，各该内联机的一端电气地连接于其中一边角，另一端朝该中心延伸。