[发明专利]具覆晶结构的发光二极管装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管装置，尤其涉及一种具覆晶结构的发光二极管装置。

背景技术

现有技术的覆晶封装技术被广泛应用于各式半导体元件的封装工艺中。对于发光二极管而言，覆晶封装技术具有可提升发光效率的优点，然而由于一般覆晶封装工艺仅使用焊球(solder ball)对焊球，或焊球对焊垫(solder pad)等接触面积有限的电性连接方式，使覆晶芯片发光时所产生的热能不易通过数量有限的焊球很快被导出，且热能的累积会使发光二极管的发光效率降低。

另外，覆晶芯片中包含了基材、N型半导体层状结构、发光层与P型半导体层状结构。其中的N型半导体层状结构与P型半导体层状结构分别包含一金属层，此金属层的线路布局攸关发光层是否可被均匀分布的电流所驱动，进而使发光层能均匀发光。

因此，提供一个不需大幅更动制造流程，增加的结构简单，且散热与发光效率均佳的发光二极管结构是十分重要的。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种散热效率更佳的具覆晶结构的发光二极管装置。

本发明的另一目的在于提供一种发光效率更佳的具覆晶结构的发光二极管装置。

为实现上述目的，根据本发明的实施例的上述目的，提出一种具覆晶结构的发光二极管装置，而此种发光二极管装置在焊垫上设置低熔点的金属材料作为导电引脚，这些导电引脚能大幅提升覆晶芯片与散热底座的接触面积，因而，使发光二极管装置的散热能力大幅提升。

根据本发明的实施例的另一目的，提出一种发光二极管装置具有一覆晶芯片。该覆晶芯片包含基材、N型半导体夹层结构、发光层与P型半导体夹层结构。

其中的N型半导体夹层结构与P型半导体夹层结构分别包含一金属层，这两个金属层的线路布局系以中心对称的形式铺设，既可以提升电流分布的均匀性，也能让发光层所发出的部分光线透过两个金属层的线路空隙发射至覆晶芯片之外，使发光二极管装置的发光效率更为提升。

通过上述的结构组成及实施例，本发明的实施例与现有技术相较具有下列优点：

1.因在覆晶芯片的焊垫上分别设置以低熔点金属材料构成的导电引脚，这些导电引脚使得覆晶芯片与散热底座的接触面积增加，故在单位时间内所能传导的覆晶芯片产生的热能也随之增加，使发光二极管装置的散热效率得以提升。

2.覆晶芯片中的N型半导体夹层结构与P型半导体夹层结构分别包含一金属层。这些金属层的线路布局呈中心对称，既能提升电流分布的均匀性，也可让更多发光层所发出的光线通过两个金属层的线路空隙发射至覆晶芯片之外，以提升发光二极管装置的发光效率。

附图说明

为让本发明的上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附图式的详细说明如下：

图1为依照本发明的一较佳实施例的一种发光二极管装置的示意剖面图；

图2为依照本发明的一较佳实施例的一种覆晶芯片的示意剖面图；

图3A为依照本发明的一较佳实施例的一种金属层线路布局的示意图；

图3B为依照本发明的一较佳实施例的一种金属层线路布局的示意图；

图3C为依照本发明的一较佳实施例的一种金属层线路布局的示意图。

其中，附图标记：

100：发光二极管装置    110：第一基材

121：第一导电支架      122：第二导电支架

130：覆晶芯片             131：第一导电引脚

132：第二导电引脚         140：封装体

210：第二基材             220：N型半导体夹层结构

221：第一金属层           230：发光层

240：P型半导体夹层结构    241：第二金属层

251：第一电极             252：第二电极

261：第一电流密度分布     262：第二电流密度分布

310：金属层               320：金属层

330：金属层

具体实施方式

参照图1，其绘示依照本发明的较佳实施例的一种发光二极管装置的示意剖面图。发光二极管装置100包含第一基材110、第一导电支架121、第二导电支架122、覆晶芯片130、第一导电引脚131、第二导电引脚132与封装体140。