[发明专利]同相正交混频器,通信装置及其方法有效
申请号: | 200710161744.1 | 申请日: | 2007-09-25 |
公开(公告)号: | CN101212203A | 公开(公告)日: | 2008-07-02 |
发明(设计)人: | 杨玮;屈庆勋 | 申请(专利权)人: | 联发科技(新加坡)私人有限公司 |
主分类号: | H03D7/14 | 分类号: | H03D7/14;H04B1/16 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 新加坡亚*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 正交 混频器 通信 装置 及其 方法 | ||
1.一种同相正交混频器,包括:
一对吉伯电路单元,其中每个上述吉伯电路单元包括:
一对第一电流产生器,分别将射频信号对转换至电流;
一对切换电路,分别耦接至上述第一电流产生器之一,使用振荡信号对调制上述转换的射频信号对,用以产生混频信号对;以及
衰减电感,耦接至上述第一电流产生器,使得上述吉伯电路单元共享上述衰减电感。
2.根据权利要求1所述的同相正交混频器,其特征在于,更包括耦接到上述衰减电感的衰减电阻。
3.根据权利要求1所述的同相正交混频器,其特征在于,更包括耦接到上述衰减电感的衰减电容。
4.根据权利要求1所述的同相正交混频器,其特征在于,更包括和上述两对第一电流产生器并联的两对第二电流产生器,分别将第二射频信号对转换至电流,上述切换电路更使用第二振荡信号对调制上述转换的第二射频信号对,用以产生第二混频信号对。
5.根据权利要求1所述的同相正交混频器,其特征在于,上述混频信号对包括同相信号和正交信号。
6.根据权利要求1所述的同相正交混频器,其特征在于,上述射频信号对和上述振荡信号对都是差动信号对。
7.根据权利要求1所述的同相正交混频器,其特征在于,上述电流产生器是金属氧化物半导体场效应晶体管或双极型晶体管。
8.一种通信装置,包括同相正交混频器,所述的同相正交混频器包括如权利要求1至权利要求4中任意一项所述。
9.一种混频方法,用于包括混频器的通信装置内,所述的混频器包括一对吉伯电路单元,其中每个吉伯电路单元具有一对第一电流产生器和一对接换电路,上述方法包括:
上述每对第一电流产生器分别将射频信号对转换至电流;
上述每对切换电路使用振荡信号对调制上述转换的射频信号对,用以产生混频信号对;以及
耦接衰减电感至上述所有的第一电流产生器,使得上述吉伯电路单元共享上述衰减电感。
10.根据权利要求9所述的混频方法,其特征在于,更包括将衰减电阻耦接到上述衰减电感。
11.根据权利要求9所述的混频方法,其特征在于,更包括将衰减电容耦接到上述衰减电感。
12.根据权利要求9所述的混频方法,其特征在于,更包括:
提供和上述两对第一电流产生器并联的两对第二电流产生器;
上述两对第二电流产生器分别将第二射频信号对转换至电流;以及
上述切换电路使用第二振荡信号对调制上述转换的第二射频信号对,用以产生第二混频信号对。
13.根据权利要求9所述的混频方法,其特征在于,上述混频信号对包括同相信号和正交信号。
14.根据权利要求9所述的混频方法,其特征在于,上述射频信号对和上述振荡信号对都是差动信号对。
15.根据权利要求9所述的混频方法,其特征在于,上述电流产生器是金属氧化物半导体场效应晶体管或双极型晶体管。
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