[发明专利]液晶显示器的阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种液晶显示器的阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

提供一基板，其具有一晶体管区及一储存电容区；

分别在该基板的该晶体管区上及该储存电容区上形成一半导体层及一透明下电极；

在该半导体层及该透明下电极上覆盖一第一介电层，以作为该晶体管区的一栅极介电层及该储存电容区的一电容介电层；

分别在该晶体管区及该储存电容区的该第一介电层上形成一栅极电极及一上电极，其中该上电极包括一透明电极部及一金属电极部；

在该第一介电层上形成一第二介电层并覆盖该栅极电极及该上电极；

在该晶体管区的该第二介电层上形成一源极/漏极电极，并穿过该第一及该第二介电层而与该半导体层电性连接；

在该第二介电层上形成一平坦层；以及

在该平坦层上形成一像素电极，并穿过该平坦层而与该源极/漏极电极电性连接。

2.根据权利要求1所述的液晶显示器的阵列基板的制造方法，其特征在于，该栅极电极包括由一透明导电材料所构成。

3.根据权利要求1所述的液晶显示器的阵列基板的制造方法，其特征在于，该栅极电极及该上电极的形成还包括：

在该第一介电层上依序形成一透明导电层及一金属层；

依序蚀刻该金属层及该透明导电层，以分别在该晶体管区及该储存电容区形成一栅极迭层及一上电极迭层；以及

去除该栅极迭层中的该金属层以形成该栅极电极，且同时部分去除该上电极迭层中的该金属层以形成该金属电极部及该透明电极部。

4.根据权利要求1所述的液晶显示器的阵列基板的制造方法，其特征在于，该栅极电极由相同于该上电极的材料所构成，且该金属电极部位于该透明电极部上方。

5.根据权利要求4所述的液晶显示器的阵列基板的制造方法，其特征在于，该金属电极部大体环绕该透明电极部。

6.根据权利要求4所述的液晶显示器的阵列基板的制造方法，其特征在于，还包括：

在该上电极上方的该第二介电层中形成一开口以露出部分的该金属电极部；以及

去除该露出的金属电极部。

7.根据权利要求1所述的液晶显示器的阵列基板的制造方法，其特征在于，该栅极电极由一金属材料所构成。

8.根据权利要求1所述的液晶显示器的阵列基板的制造方法，其特征在于，该金属电极部形成于部分的该透明电极部下方。

9.根据权利要求1所述的液晶显示器的阵列基板的制造方法，其特征在于，该栅极电极及该上电极的形成还包括：

该第一介电层上形成一金属层；

蚀刻该金属层，以分别在该晶体管区及该储存电容区形成该栅极电极及该金属电极部；

在该第一介电层上形成一透明导电层并覆盖该栅极电极及该金属电极部；以及

蚀刻该透明导电层，以在该储存电容区的该第一介电层上形成该透明电极部。

10.根据权利要求1所述的液晶显示器的阵列基板的制造方法，其特征在于，该第一介电层、该第二介电层、及该平坦层由氮化硅、氧化硅、或其组合所构成。

11.根据权利要求1所述的液晶显示器的阵列基板的制造方法，其特征在于，该半导体层及该透明下电极由一选择性掺杂的多晶硅层所构成。

12.一种液晶显示器的阵列基板，其特征在于，包括：

一基板，其具有一晶体管区及一储存电容区；

一薄膜晶体管，位于该晶体管区，包括：

一半导体层，设置于该基板上；

一栅极介电层，设置于该半导体层上；

一栅极电极，设置于该栅极介电层上；以及

一源极/漏极电极，电性连接至该半导体层；

一储存电容，位于该储存电容区，包括：

一透明下电极，设置于该基板上；

一电容介电层，设置于该透明下电极上；以及

一上电极，设置于电容介电层上且包括一透明电极部及一金属电极部；

一平坦层，覆盖该薄膜晶体管及该电容；以及

一像素电极，设置于该平坦层上，并穿过该平坦层而与该源极/漏极电极电性连接；

该半导体层及该透明下电极由同一多晶硅层所构成且该栅极介电层与该电容介电层由同一介电层所构成。