[发明专利]液晶显示器的阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种液晶显示器技术，尤其涉及一种液晶显示器的阵列基板及其制造方法，其中阵列基板具有高开口率(aperture ratio，AR)的像素结构。

背景技术

液晶显示器(LCD)具有厚度薄、重量轻、低耗电、及低操作电压等特点，目前已广泛应用于可携式个人计算机、数字相机、投影机等电子产品上，而在平面显示器市场中占有重要的地位。

典型的液晶显示器包括：一阵列基板、一滤光片(color filter，CF)基板、以及位于阵列基板与滤光片基板之间的液晶层。阵列基板包含了多个由数据线与扫描线所构成的像素区以及由多电子元件所构成的像素驱动电路，例如薄膜晶体管及储存电容。薄膜晶体管用于将电压施加于像素区或阻挡电压施加于像素区，而储存电容则用于未施加电压周期期间维持像素信息。在传统的阵列基板制造中，储存电容使用一位于像素区中平行于扫描线的公共电极(common metal electrode)作为上电极或下电极，且为了增加电容量，需增加公共电极的面积。

然而，典型的公共电极由不透光的金属所构成，因此当储存电容的电极面积增加提高电容量时，像素区的开口率便会降低。而为了维持液晶显示器的亮度，必须通过增加背光模块的功率，因而增加耗电量。

为了解决上述的问题，有必要发展新的阵列基板，其可提高像素的开口率，同时维持储存电容的电容量。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种液晶显示器的阵列基板及其制造方法，其通过缩小共同金属电极的面积来增加开口率，并且透明导电层补偿缩小的公共电极所造成的电容值损失。

为实现上述的目的，本发明提供一种液晶显示器的阵列基板的制造方法，提供一基板，其具有一晶体管区及一储存电容区，分别在基板的晶体管区上及储存电容区上形成一半导体层及一透明下电极。在半导体层及透明下电极上覆盖一第一介电层，以作为晶体管区的一栅极介电层及储存电容区的一电容介电层。分别在晶体管区及储存电容区的第一介电层上形成一栅极电极及一上电极，其中上电极包括一透明电极部及一金属电极部。在第一介电层上形成一第二介电层并覆盖栅极电极及上电极。在晶体管区的第二介电层上形成一源极/漏极电极，并穿过第一及第二介电层而与半导体层电性连接。在第二介电层上形成一平坦层。在平坦层上形成一像素电极，并穿过平坦层而与该源极/漏极电极电性连接。

而且，为实现上述的目的，本发明提供一种液晶显示器的阵列基板，包括：一基板、一薄膜晶体管、一储存电容、一平坦层、及一像素电极。基板具有一晶体管区及一储存电容区，而薄膜晶体管位于晶体管区，包括：设置于基板上的一半导体层、设置于半导体层上的一栅极介电层、设置于栅极介电层上的一栅极电极、以及电性连接至半导体层的一源极/漏极电极。储存电容位于储存电容区，包括：设置于基板上的一透明下电极、设置于透明下电极上的一电容介电层、以及设置电容介电层上的一上电极，且上电极包括一透明电极部及一金属电极部。平坦层覆盖薄膜晶体管及电容。像素电极设置于平坦层上，并穿过平坦层而与源极/漏极电极电性连接。另外，半导体层及透明下电极由同一多晶硅层所构成且栅极介电层与电容介电层由同一介电层所构成。

采用本发明，可以通过缩小共同金属电极的面积来增加开口率，并且透明导电层补偿缩小的公共电极所造成的电容值损失。另外，本发明由于可使用透明导电材料作为晶体管区的栅极电极，因此可进一步提升开口率或透光率。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1A至图1E为本发明实施例的液晶显示器的阵列基板制造方法平面示意图；

图2A至图2E分别为图1A至图1E中沿1a-1a’、1b-1b’、1c-1c’、1d-1d’、及1e-1e’线的剖面示意图；

图3A至图3D为本发明实施例的液晶显示器的阵列基板制造方法平面示意图；

图4A至图4D分别为图3A至图3D中沿3a-3a’、3b-3b’、3c-3c’、及3d-3d’线的剖面示意图；

图5A至图5D为本发明实施例的液晶显示器的阵列基板制造方法平面示意图；

图6A至图6D分别为图5A至图5D中沿5a-5a’、5b-5b’、5c-5c’、及5d-5d’线的剖面示意图。

其中，附图标记：

100：基板                   100a：晶体管区

100b：储存电容区            100c：接垫区