[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200710163748.3 | 申请日： | 2005-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN101140886A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 李丹晨 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/283;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体元件的制造方法，所述半导体元件的制造方法包括下列步骤：
提供一基板；
在该基板的含硅区域掺杂一第一掺杂物，而该第一掺杂物在该含硅区域产生应力；
在该含硅区域掺杂一第二掺杂物，以降低该第一掺杂物在该含硅区域产生的应力，其中具有该第一掺杂物与该第二掺杂物的该含硅区域包括一源/漏区；以及
形成一硅化镍膜于该源/漏区上
其中该第一掺杂物的掺杂步骤是达到一特定的活化载体层浓度，且当该活化载体层浓度维持在一特定值时，位于该源/漏区的该第二掺杂物降低该含硅区域的应力。
2.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于：该第二掺杂物的原子半径大于硅的原子半径，且是选自由第二族元素、第三族元素、第四族元素、以及上述元素的组合所组成的群组。
3.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于：在形成该硅化镍膜的步骤前，更包括一个活化该源/漏区内的第一掺杂物与该第二掺杂物的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
